【应用】美浦森SiC MOSFET应用于PFC功率因数校正,有效提升系统稳定性
PFC的英文全称为“Power Factor Correction”,意思是“功率因数校正”,功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系,也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。 基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度,当功率因数值越大,代表其电力利用率越高。
PFC拓扑常见的工作模式有CCM电流连续型、DCM不连续型和CRM临界型三种,PFC拓扑对MOS管的要求比较高,在保证系统效率和温升的条件下,要尽可能的提升系统稳定性。PFC拓扑的控制环路速度比较慢,为了平滑100Hz~120Hz的交流整流纹波,PFC拓扑的反应时间必须要达到数10ms。如果没有对控制电路和IC进行专门优化,PFC拓扑在启动过程中往往会产生很大的冲击电流,冲击电流可达正常工作时的5~10倍,尤其是在反复的开关机过程中,更是对MOS管有着更加严苛的考验。PFC拓扑中的MOS管跨接在高压与地之间,在进行安规测试时,MOS管的EAS能力也是评估其可靠性的重要参考。因此,PFC电路在选择MOS管时,需要着重考虑MOS管的开关特性(Ciss)、EAS能力、浪涌抵抗能力和静电防护能力。
目前,欧美地区国家对电源输入功率大于75W,需强制加PFC电路,电器产品对结构的精细化提升,带来电源产品对功率因素、效率、功率密度的要求也越来越高,传统的Si FRD器件已难以满足需求,SiC材料可以满足需求。
PFC电路一般应用欧美地区国家对电源输入功率大于75W的电源,比如PC电源,TV电源,电力电源,照明电源,适配器,服务器,充电桩电源等。为控制系统供电,容量从几百瓦到几千瓦不等,针对90V到264VAC输入的电源产品,一般需要具有高速开关性能的PFC升压二极管以及耐压500V以上的Diode,D1位置为美浦森SiC MOSFET应用于BOOST的应用原理图。
示意图:
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