【产品】30V/30A N沟道高级功率MOSFET RU30J30M，经过100%雪崩测试，符合RoHS要求
锐骏半导体推出RU30J30M型号的N沟道高级功率MOSFET，漏源电压30V，漏电流最大30A，储存温度范围-55~150℃，低栅极电荷，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统和DC/DC转换器应用。
产品特点：
• 30V/30A，
RDS (ON)=7mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON)=9.5mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• 低栅极电荷
• 100%雪崩测试
• 无铅器件，符合RoHS要求
产品应用：
• 开关应用系统
• DC/DC转换器
绝对最大额定值:
电气特性（除非另有说明，否则TC = 25°C）：
注：
①脉冲宽度受安全工作区限制。
②根据最大允许结温计算出的连续电流。
③安装在1平方英寸铜板上时，t≤10s
④受TJmax限制，IAS=14A，VDD=24V，RG=50Ω，TJ=25℃
⑤脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
⑥设计保证，不经过生产测试
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