【产品】30V/30A N沟道高级功率MOSFET RU30J30M，经过100%雪崩测试，符合RoHS要求

时间： 2022-05-13 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出RU30J30M型号的N沟道高级功率MOSFET，漏源电压30V，漏电流最大30A，储存温度范围-55~150℃，低栅极电荷，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统和DC/DC转换器应用。

产品特点：

• 30V/30A，

R_{DS (ON)}=7mΩ(Typ.)@V_GS=10V

R_{DS (ON)}=9.5mΩ(Typ.)@V_GS=4.5V

• 低栅极电荷

• 100%雪崩测试

• 无铅器件，符合RoHS要求

产品应用：

• 开关应用系统

• DC/DC转换器

绝对最大额定值:

电气特性（除非另有说明，否则T_C = 25°C）：

注：

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③安装在1平方英寸铜板上时，t≤10s

④受TJmax限制，I_AS=14A，V_DD=24V，R_G=50Ω，T_J=25℃

⑤脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。

⑥设计保证，不经过生产测试

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
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