【产品】650V/12A N沟道功率MOSFET器件RU65R340P，最高结温达150℃

时间： 2022-03-14 来源：锐骏半导体

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深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业。其推出的RU65R340P器件是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET；该器件在Tc=25℃时的绝对最大额定值为：漏源电压V_DSS为650V，栅源电压V_GSS为±30V，连续漏极电流I_D为12A（V_GS=10V，安装在大型散热器上），最高结温T_J为150℃；产品可用于开关电源中的AC/DC电源转换、适配器和LED驱动器等领域，产品实物图和等效电路图如下。

产品特征

• 650V/12A

• 超低漏源导通电阻R_{DS (ON)} =340mΩ(典型值)@V_GS=10V

• 快速开关

• 100% 雪崩测试

• 提供无铅和绿色环保器件（符合 RoHS 标准）

产品应用

• 开关电源中的AC/DC电源转换

• 适配器

• LED驱动器

绝对最大额定值

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2022-03-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】漏源电压为650V的N沟道功率MOSFET RU18N65P，其单脉冲雪崩能量为500mJ

锐骏半导体推出的RU18N65P是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET，具有低反向传输电容和超低栅极电荷等特性，其可用于电源转换开关等多种应用。该产品的漏源电压为650V，栅源电压为±30V，单脉冲雪崩能量为500mJ。

2022-03-25 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】60V/120A N沟道功率MOSFET RU6099R，可用于开关应用系统及逆变系统

RU6099R是锐骏半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，漏源电压为60V，连续漏极电流为120A，漏源导通电阻为6mΩ，二极管的连续正向电流为120A，结到壳的热阻值为1℃/W，最高结温为175℃，采用TO-220封装，可用于开关应用系统、逆变系统等应用。

2022-05-01 - 产品代理服务技术支持采购服务

F10N70 10A，700V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的F10N70型高压功率MOSFET。该器件具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性，适用于高速切换应用的电源适配器和转换器。

型号- F10N70

2021.07 - 晶导微电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

F10N60 10A，600V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的F10N60型号的功率MOSFET。这是一种高压功率MOSFET，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性。适用于高速切换应用的电源供应器和适配器。

型号- F10N60

2021.07 - 晶导微电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

MPF18N50 N沟道功率MOSFET

描述- 该资料详细介绍了MPF18N50型N通道功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热特性、开关特性、二极管特性等，并提供了最大安全工作区域、典型导通电阻与漏电流关系图等图表。

型号- MPF18N50

2021/6/3 - MP - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术

锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。

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MPF07N65 N沟道功率MOSFET

描述- 本资料详细介绍了MPF07N65型N通道功率MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、开关特性、二极管特性等，并提供了最大安全工作区域、电容特性、栅极电荷特性、导通状态特性等图表，适用于适配器、LCD面板电源、电动自行车充电器和开关模式电源等应用。

型号- MPF07N65

2021/11/15 - MP - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务

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型号- F5N65

2022.02 - 晶导微电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

F10N65 10A，650V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的F10N65型号的高压功率MOSFET。该器件具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性，适用于高速切换应用的电源供应器和适配器。

型号- F10N65

2021.07 - 晶导微电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

MPF10N65 N沟道功率MOSFET

描述- 该资料详细介绍了MPF10N65型N通道功率MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、开关特性、二极管特性等，并提供了最大安全工作区域图、电容特性图、栅极电荷特性图、导通状态特性图等，适用于适配器、LCD/PDP适配器和电动自行车充电器等应用。

型号- MPF10N65

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型号- 4N70G-TM3-T,4N70-ML,4N70L-TN3-R,4N70L-TM3-T,4N70L-TF1-T,4N70L-TF2-T,4N70G-TF1-T,4N70G-TF2-T,4N70G-TN3-R

2021/10/6 - UTC - 数据手册代理服务技术支持采购服务

MPF12N65 N沟道功率MOSFET

描述- 该资料详细介绍了MPF12N65型N通道功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热特性、开关特性、二极管特性等，并提供了最大安全工作区域、典型导通电阻与漏电流关系图等，适用于适配器、LCD面板电源、电动自行车充电器和开关电源等应用。

型号- MPF12N65

2021/11/5 - MP - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务

3N60-TA 3A，600V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的3N60-TA型号高压功率MOSFET。这款MOSFET具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性，适用于高速切换应用的电源供应器和适配器。

型号- 3N60-TA,3N60G-TN3-R,3N60G-TA3-T,3N60L-TF3-T,3N60L-TF2-T,3N60L-TF1-T,3N60L-TA3-T,3N60G-TF2-T,3N60G-TF3-T,3N60L-TM3-T,3N60G-TF1-T,3N60L-TN3-R,3N60G-TM3-T

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