【产品】采用SOP-8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW083R06VSM，具有快速开关时间、低栅极电荷等特性

时间： 2023-04-11 来源：芯派科技

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SW083R06VSM是芯派科技推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装，该功率MOSFET采用SAMWIN的先进技术生产，该技术使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和特别是优异的雪崩特性。

产品特性：

高强度
低R_DS(ON)（典型值12mΩ)@V_GS=4.5V
（典型值9.5mΩ)@V_GS=10V
低栅极电荷（典型值18nC）
改进的dv/dt能力
100%雪崩测试

应用：

同步整流
锂电池保护板
逆变器

绝对最大额定值

*.漏极电流受结温限制。

热特性

注：R_thja是结到外壳和外壳到环境热阻的总和，其中外壳热基准被定义为漏极引脚的焊料安装表面。R_thjc由设计保证，而R_thca由用户的板设计决定。

R_thja：52.4℃/W，在2盎司铜皮的1平方英寸焊盘上。

电气特性（T_J=25℃，除非另有说明）

源漏二极管额定值特性

订购信息

*注：

1.重复额定值：脉冲宽度受结温限制。

2.L=0.5mH，I_AS=19.5A，V_DD=40V，R_G=25Ω，起始T_J=25℃。

3.I_SD≤10A，di/dt=100A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25℃。

4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。

5.基本上独立于工作温度。

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