【应用】雅特力32位MCU AT32F421G8U7适用于VBAT设计供电,最高可支持64KB闪存存储器

2021-12-31 世强
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雅特力科技推出AT32F421系列超值型ARM® Cortex®-M4微控制器MCU,高达120MHz的CPU运算速度与内建数字信号处理器(DSP),最高可支持64KB闪存存储器(Flash)及16KB随机存取存储器(SRAM),集成了丰富外设接口,同时还扩展了1个高速轨到轨输入/输出模拟电压比较器,采样率高达2M SPS的12位高速ADC,可充分满足高速数据采集、混合信号处理和工业控制与电机应用要求。具有多种可选功能还支持端口重映射,极佳的灵活性和易用性满足多种应用需求。


由于AT32F421芯片没有独立的VBAT供电引脚,如果需要使用类似VBAT供电实现待机功能,需要设计外部的电源切换电路。本文将介绍如何设计外部的电源切换电路与VBAT供电实现待机功能,设计可参考原理图如下图。

图1,电源与VBAT供电切换电路

解决外部供电电源切换电路与VBAT供电实现待机功能设计原理过程如下:

1、当 VDD 和 VBAT 同时有电时,VDD 电压比 VBAT 电压高,D2 导通,D1 关断,VDD 为 MCU 供电。当 VDD 断电时 D1 导通,VBAT 给 MCU 供电,D2 防止 VBAT 漏电到 VDD。注意: VDD 电压必须高于 VBAT,否则 VBAT 将优先 VDD 供电,电池的使用寿命会缩短。D1/D2 选用低压降二极管,尽量减小 VDD MCU 和 VDD 电压差。

2、PA0 用于检测 VDD 是否掉电,掉电后 PA0 将输入低电平,MCU 检测 PA0 状态后可进入低功耗模式以节省 VBAT 电池耗电,VDD 恢复供电时可通过 PA0 WKUP 唤醒 MCU,这些操作需要通过软件实现。VDD 掉电后 R1 将 PA0 电平拉至稳定的低电平,也可用 PA0 内部下拉电阻替代。


综上所述,外部供电切换电路与VBAT供电实现待机功能设计方案成功应用,延长电池的使用寿命,节省电池耗电的优秀解决方案。

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