【产品】20V/7A/18mΩ的N沟道增强型MOSFET AS3416E，封装为SOT-23
安邦（ANBON）推出的N沟道增强型MOSFET AS3416E，具有先进的沟槽工艺技术，ESD保护高达3.5KV（HBM），高密度单元设计，超低导通电阻，漏源导通电阻RDS(on)MAX为18mΩ@4.5V，22mΩ@2.5V，39mΩ@1.8V；漏源击穿电压V(BR)DSS为20V， 连续漏极电流ID为7A，封装为SOT-23，可应用于便携式设备的负载开关，DC / DC转换器等领域。
图1 产品外形图
图2 电路原理图
特点
•先进的沟槽工艺技术
•高密度单元设计，超低导通电阻
•ESD保护高达3.5KV（HBM）
应用
•负载开关，用于便携式设备
•DC / DC转换器
绝对最大额定值（除非另有说明，否则Ta = 25℃）
封装尺寸图
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