【产品】20V/7A/18mΩ的N沟道增强型MOSFET AS3416E，封装为SOT-23

时间： 2020-07-08 来源：安邦

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安邦（ANBON）推出的N沟道增强型MOSFET AS3416E，具有先进的沟槽工艺技术，ESD保护高达3.5KV（HBM），高密度单元设计，超低导通电阻，漏源导通电阻R_DS(on)MAX为18mΩ@4.5V，22mΩ@2.5V，39mΩ@1.8V；漏源击穿电压V_(BR)DSS为20V，连续漏极电流I_D为7A，封装为SOT-23，可应用于便携式设备的负载开关，DC / DC转换器等领域。

图1 产品外形图

图2 电路原理图

特点

•先进的沟槽工艺技术

•高密度单元设计，超低导通电阻

•ESD保护高达3.5KV（HBM）

应用

•负载开关，用于便携式设备

•DC / DC转换器

绝对最大额定值（除非另有说明，否则Ta = 25℃）

封装尺寸图

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全部评论（2）

maomao Lv8. 研究员 2020-07-08

不错的资料~~~
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-07-08

学习了

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AS2002E	MOSFET	SOT-23	N	20V	±12V	1V	0.75A	380mΩ	450mΩ	800mΩ

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AS2002E	LV MOSFET	SOT-23	N	20	±12	1	0.75	380	450	800