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【产品】内置ESD防护的60V/300mA N沟道增强型MOSFET-2N7002K-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002K-AU为N沟道增强型MOSFET内置ESD防护。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为300mA。先进的沟槽技术，高密度单元设计，超低的导通电阻，专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计。
新产品 发布时间 : 2019-12-23
【产品】50V/360mA 采用先进沟槽技术的N沟道增强型MOSFET PJC138K-AU,专为电池供电系统而设计
PANJIT 推出了PJC138K-AU 为N沟道增强型MOSFET，内置内置ESD保护。采用SOT-323封装，其中漏-源电压最大额定值为50V，连续漏极电流最大额定值为360mA。具有2kV HBM ESD—HBM保护能力，专为电池供电系统、固态继电器、驱动器:继电器、显示器、存储器等设计。
新产品 发布时间 : 2019-12-03
【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
新产品 发布时间 : 2018-07-06
PJ4N3KDW 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected data sheet
型号- PJ4N3KDW_R2_00001,PJ4N3KDW,RB500V-40_R2_00001,PJ4N3KDW_R1_00001
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET 2N7002，可用于电池供电系统
丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET 2N7002，可应用于电池供电系统，固态继电器，驱动器（继电器、电磁阀、灯、显示器、存储器等）。
产品 发布时间 : 2021-12-29
【产品】20V/3A N沟道增强型MOSFET SI2302，导通电阻低至28mΩ
辰达行（MDD）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET SI2302，采用高密度单元设计实现超低导通电阻，漏源导通电阻RDS(on)为28mΩ @ 4.5V ，32mΩ @ 3.3V，漏源电压V(BR)DSS为20V，漏极连续电流ID为3.0A。
产品 发布时间 : 2022-03-25
【产品】采用SOT-26封装的双N沟道增强型MOSFET AM6802，最大结温150℃
AiT推出的AM6802是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM6802可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流4A、VGS=10V时，300μs脉冲漏极电流为16A、最大耗散功率1W。
产品 发布时间 : 2021-11-22
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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