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辰达行MOS管选型表
提供辰达行MOS管选型，产品为SOT-23封装形式，覆盖VBR(DSS)(V)范围：-50~+100；ID(A)范围：-4.8~+6；PD(W)：+0.225~+1.56，适用于网络通讯设备， 消费类电子产品， 安防设备， 汽车电子， 工业电源， 充电柱， 表计， LED照明， 物联网等领域。
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产品型号
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品类
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PD(W)
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ID(A)
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VBR(DSS)(V)
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RDS (ON)(MAX)(Ω)
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RDS (ON)(MAX)ID(A)
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RDS (ON)(MAX)VGS(V)
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VGS (th)(V)
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VGS (th)(V)ID(uA)
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GFS(S)
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GFS VDS(V)
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Package
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BSS138
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MOS管
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0.3
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0.5
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50
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2
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0.5
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10
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1.5
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0.25
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100
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10
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SOT-23
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选型表 - 辰达行 立即选型
PJ4N3KDW 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected data sheet
型号- PJ4N3KDW_R2_00001,PJ4N3KDW,RB500V-40_R2_00001,PJ4N3KDW_R1_00001
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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