【产品】N沟道功率MOSFET P46LF7R5SLK~P72LF7R5SNK系列，漏源电压均为75V

时间： 2020-09-12 来源：Shindengen

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N沟道功率MOSFET,P46LF7R5SLK,P46LF7R5SNK,P72LF7R5SNK

SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的N沟道功率MOSFET P46LF7R5SLK，P46LF7R5SNK，P72LF7R5SLK和P72LF7R5SNK系列，器件的漏源电压均为75V，栅源电压均为±20V。系列器件具有高电流承受能力，P46LF7R5SLK和P46LF7R5SNK的连续漏极电流（DC）为46A；P72LF7R5SLK和P72LF7R5SNK为72A。P46LF7R5SLK和P46LF7R5SNK系列器件带散热器条件下的结壳热阻最大值为0.89℃/W；另两款为为0.69℃/W，能达到较好的散热效果。器件的存储温度和沟道温度范围宽至-55~+175℃，符合工业级温度需求，可以用于开关电源等应用。封装信息如图1所示。

图1 产品外观和内部电路图

P46LF7R5SLK和P46LF7R5SNK系列器件的总功耗最大额定值为168W；另两款为217W。此外，器件在Tch=25℃ Tch≦150℃条件下，P46LF7R5SLK和P46LF7R5SNK系列器件的单脉冲雪崩能量为88mJ；另两款为215mJ。此外，P46LF7R5SLK和P46LF7R5SNK系列器件的静态漏源导通电阻典型值分别为0.0082和0.008Ω（ID=23A, VGS=10V条件下），另两款P72LF7R5SLK和P72LF7R5SNK分别为0.0046Ω和0.0045Ω（ID=36A, VGS=10V条件下），具有低导通电阻特性。

产品特性：

N沟道

小型SMD封装

高电流承受能力

低导通电阻

栅极驱动电压：4.5V（P46LF7R5SLK和P72LF7R5SLK）和10V（P46LF7R5SNK和P72LF7R5SNK）

低电容

符合AEC-Q101标准认证

无铅端子

符合RoHS标准认证

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ACE Lv8. 研究员 2020-09-13

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