【产品】1微米肖特基二极管工艺,优化混频器、收发器和功率检测器设计
全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS近期推出了一款截止频率高达3THz的肖特基二极管工艺产品——BES,已成功通过宇航级品质评估,并列入欧空局(ESA)的欧洲优选器件列表(EPPL)。BES为1微米肖特基二极管工艺,为高达百GHZ级别的甚高频混频器或开关应用而优化。
图1 BES肖特基二极管结构示意图
该BES工艺包括两个金属互连层,精密TaN电阻,高值TiWSi电阻,MIM电容,贯穿衬底的金属化孔(全通导孔),采用空气桥和完全光学工艺技术。
图2 一个5微米指针的BES肖特基二极管显微图
其主要指标参数已整理在表格1中,可看到,由采用该工艺制造的尺寸为1×5μm的二极管截止频率高达3THz,本征电容和寄生电容都很小,分别为8fF和6fF。另外,接触电阻仅为为3~8Ω,其正向电压小,最大值为0.8V,典型值为0.65V。
BES主要用于电信无线电、汽车防撞雷达和空间通信系统等应用中的混频器、收发器和功率检测器设计。UMS公司采用BES工艺的产品有CHE1270-QAG、CHE1260-QAG、CHM2378a99F、CHM1270a98F。其中,CHE1270-QAG和CHE1260-QAG两款都为检测器,用于需要精确的发射功率控制的多种应用,通常是商业通信系统;CHM2378a99F是双通道混频器,具有极低的变频损耗和噪声;CHM1270a98F是双通道自偏置收发器,具备极佳的中频噪声性能。
表1 BES的主要电气特性
参数 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
条件 |
二极管(1×5μm) |
|||||
理想因子n |
1.0 |
1.2 |
1.3 |
- |
二极管V=0.55V |
J0二极管 |
- |
3e-6 |
1e-4 |
A/cm2 |
|
串联电阻Rs |
3 |
5 |
8 |
Ω |
二极管I=15mA |
击穿电压V_bd |
-10 |
-6.5 |
-5 |
V |
二极管I=-20μA |
正向电压V_on |
- |
0.65 |
0.8 |
V |
二极管I=20μA |
共面二极管(1×5μm) 等效电路 |
|||||
截止频率 |
3 |
THz |
|||
本征电容Cj |
8 |
fF |
|||
寄生电容Cp |
6 |
fF |
|||
TaN电阻/ |
|||||
薄层电阻 |
26 |
30 |
34 |
Ω/平方 |
|
MIM电容/ |
|||||
密度 |
290 |
330 |
370 |
pF/mm2 |
@1MHz |
TiWSi电阻 |
|||||
薄层电阻 |
800 |
1000 |
1200 |
Ω/平方 |
|
GaAs电阻/ |
|||||
欧姆接触电阻 |
- |
0.05 |
0.3 |
Ω/平方 |
|
GaAs薄层电阻 |
7 |
9 |
11 |
Ω/平方 |
BES主要特点:
1.0μm 肖特基二极管工艺
全部光学工艺
典型频率:3THz
TaN和TiWSi电阻
GaAs电阻
MIM电容
空气桥
全通导孔
硅片厚度:100μm
硅片直径:100㎜
通过宇航级品质评估,并列入欧空局(ESA)的欧洲优选器件列表(EPPL)
采用BES工艺开发板特点:
适用于Keysight的ADS,NI-AWR的Mwo和Ansoft的Nexxim
可依据输入自动生成原理图
为海量设备提供可扩展样例
可扩展的非线性二极管模型
提供二次开发的说明资料
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型号- CHA6682-QCB,CHM1294-99F,CHK9013-99F,CHA1008-99F,CHA6682-QKB,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3688AQDG,CHKA012-99F,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4105-QDG,CHC6094-QKB,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6094-QKB,CHA6682-98F,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,CHA8362-99F,CHC6094,CHA4350-QDG,CHA6652-QXG,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHW4313-QAG,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA6095-QKB,CHA3409-98F,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA7453-99F,CHK8101A99F,CHA6354-QQA,CHT4690-QAG,CHA3024-QGG,CHC6054-QQA,CHA2352-98F,CHK9014,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHA3656-QAG,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA7455-99F,CHA6194-QXG,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHK5010-99F,CHM1298-99F,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHA6357-QKB,CHA4220-QGG
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UMS传感器/检测器/检波器选型表
UMS传感器/检测器/检波器选型:RF Bandwidth (GHz)min:5-24.5,RF Bandwidth (GHz)max:5.88-44,Bias(mA):0.8-350,Bias(V):3-18.4.
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain RX(dB)
|
Gain TX(dB)
|
Pout TX(dBm)
|
NF RX(dB)
|
Number of Bit Atten.
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHC2442-QPG
|
传感器
|
24
|
24.5
|
37
|
VCO incl.
|
13.5
|
11.5
|
5
|
225
|
3.3
|
QFN
|
选型表 - UMS 立即选型
UMS混频器/降频器选型表
UMS混频器/降频器选型:RF Bandwidth (GHz)min:5.5-76,RF Bandwidth (GHz)max:9-86,LO Bandwidth (GHz)-min:3-76,LO Bandwidth (GHz)-max:7.75-77,LO Input Power(dBm):-4~15,Bias(mA):1-380.
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
LO Bandwidth (GHz)min
|
LO Bandwidth (GHz)max
|
IF Bandwidth (GHz)min
|
IF Bandwidth (GHz)max
|
Conv. Gain(dB)
|
Noise Figure(dB)
|
P-1dB IN(dBm)
|
LO Input Power(dBm)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHR3762-QDG
|
降频器
|
5.5
|
9
|
4
|
12
|
DC
|
3.5
|
14
|
1.7
|
-5
|
5
|
100
|
3
|
QFN
|
选型表 - UMS 立即选型
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型号- CHE1260-QAG,BES,CHM2378A99F,CHM1270A98F,CHE1270-QAG
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品牌:UMS
品类:W-Band Dual Channel Transmitter/Receiver
价格:¥291.2083
现货: 10
现货市场
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最小起订量: 1pcs 提交需求>
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