【产品】1微米肖特基二极管工艺,优化混频器、收发器和功率检测器设计

2018-08-06 UMS
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全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS近期推出了一款截止频率高达3THz的肖特基二极管工艺产品——BES,已成功通过宇航级品质评估,并列入欧空局(ESA)的欧洲优选器件列表(EPPL)。BES为1微米肖特基二极管工艺,为高达百GHZ级别的甚高频混频器或开关应用而优化。


图1  BES肖特基二极管结构示意图

 

该BES工艺包括两个金属互连层,精密TaN电阻,高值TiWSi电阻,MIM电容,贯穿衬底的金属化孔(全通导孔),采用空气桥和完全光学工艺技术。


图2  一个5微米指针的BES肖特基二极管显微图

 

其主要指标参数已整理在表格1中,可看到,由采用该工艺制造的尺寸为1×5μm的二极管截止频率高达3THz,本征电容和寄生电容都很小,分别为8fF和6fF。另外,接触电阻仅为为3~8Ω,其正向电压小,最大值为0.8V,典型值为0.65V。


BES主要用于电信无线电、汽车防撞雷达和空间通信系统等应用中的混频器、收发器和功率检测器设计。UMS公司采用BES工艺的产品有CHE1270-QAGCHE1260-QAGCHM2378a99FCHM1270a98F。其中,CHE1270-QAG和CHE1260-QAG两款都为检测器,用于需要精确的发射功率控制的多种应用,通常是商业通信系统;CHM2378a99F是双通道混频器,具有极低的变频损耗和噪声;CHM1270a98F是双通道自偏置收发器,具备极佳的中频噪声性能。



表1  BES的主要电气特性

参数

最小值

典型值

最大值

单位

条件

二极管(1×5μm)

理想因子n

1.0

1.2

1.3

-

二极管V=0.55V

J0二极管

-

3e-6

1e-4

A/cm2


串联电阻Rs

3

5

8

     Ω

二极管I=15mA

击穿电压V_bd

-10

-6.5

-5

V

二极管I=-20μA

正向电压V_on

-

0.65

0.8

V

二极管I=20μA

共面二极管(1×5μm)

等效电路

截止频率


3


THz


本征电容Cj


8


fF


寄生电容Cp


6


fF


TaN电阻/

薄层电阻

26

30

34

Ω/平方


MIM电容/

密度

290

330

370

pF/mm2

@1MHz

TiWSi电阻

薄层电阻

800

1000

1200

Ω/平方


GaAs电阻/

欧姆接触电阻

-

0.05

0.3

Ω/平方


GaAs薄层电阻

7

9

11

Ω/平方


 

BES主要特点:

1.0μm 肖特基二极管工艺

全部光学工艺

典型频率:3THz

TaN和TiWSi电阻

GaAs电阻

MIM电容

空气桥

全通导孔

硅片厚度:100μm

硅片直径:100㎜

通过宇航级品质评估,并列入欧空局(ESA)的欧洲优选器件列表(EPPL)

 

采用BES工艺开发板特点:

适用于Keysight的ADS,NI-AWR的Mwo和Ansoft的Nexxim

可依据输入自动生成原理图

为海量设备提供可扩展样例

可扩展的非线性二极管模型

提供二次开发的说明资料

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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