【经验】如何正确评估SIC二极管的VBR电压？
随着第三代半导体的兴起，SIC器件已经在各个行业开始普及，尤其是SIC二极管，已经成为SI器件高压快恢复二极管的最佳替代产品。然而针对SIC二极管的可靠性参数VBR（反向击穿电压）评估，目前没有详细的标准可以参考评估，本文将结合泰科天润的SIC二极管产品G5S12030BM，讨论如何正确评估SIC二极管的VBR电压？
如图1所示，是二极管的伏安特性曲线，从图中可以看出，但二极管反向电压增加到一定程度时，二极管的漏电流IR会急速增大，如图中红圈的“拐点”处，此次可以认为二极管被击穿，处于雪崩状态，此时对应的电压称之为VBR。而针对SI二极管的测试标准IEC60747-2-2016中6.1.3只给出了VBR测试方法，在特定的温度条件下，基于IR值测试VBR，但标准并没有给出IR具体数值。很多厂家就会根据自己的需求设定这个值。
图1 二极管的伏安特性曲
显然这个测试依据不具备一定过得严谨性，以泰科天润SIC二极管G5S12030BM为例，其VR-IR曲线示意图如图2左图所示，以TJ=25℃为例，IR在0-60uA范围内，VR电压在上升阶段，但都没有达到上述的“拐点”。那再将IR增加，曲线图分布范围增大，如图2右图所示，可以发现在IR=0.5mA时出现了“拐点”，此时对应的VR电压就是VBR电压。
图2 G5S12030BM的VR-IR曲线示意图
由以上我们可以看出，单纯以某一个IR值去判定VBR电压并不准确，还以VR-IR曲线的“拐点”来判定VBR电压才是最准确的。
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产品型号
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品类
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晶圆尺寸
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Package
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Config.
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VRRM(V)
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IF(A)(Tc=160℃)
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IF(A)(Tc=125℃)
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IF(A)(Tc=25℃)
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IFSM(A)(Tc=25℃)
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RTH-JC(Typ.)(℃/W)
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Qc(nc)(Tj=25℃)
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Ptot(W)(Tc=25℃)
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Ptot(W)(Tc=110℃)
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VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
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VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
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IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
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IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
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IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
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G51XT
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碳化硅肖特基功率二极管
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4寸
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SOD123
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单芯
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650
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0.65
|
1
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1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
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1.2
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1.38
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1.6
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1.57
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2
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0.07
|
50
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0.2
|
100
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选型表 - 泰科天润 立即选型
【选型】泰科天润SiC二极管满足Boost/PFC、高频输出整流等多种电路设计需求
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砥砺前行！一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项
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【应用】650V耐压国产SiC二极管G3S06540B在不间断电源（UPS）PFC电路上的应用
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