【产品】采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T，漏极耗散功率最大为500W
萨瑞微电子推出一款采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T，采用先进的沟槽单元设计，适用于电动工具设备、BMS设备和大功率逆变系统等。该器件的漏源电压最小值为100V，直流漏极电流最大值为300A（TC=25℃，VGS=10V），漏极耗散功率最大值为500W；等效电路图和管脚配置图如下。
产品引脚配置和示意图
特点：
表面贴装器件
先进的沟槽单元设计
应用：
电动工具设备
BMS设备
大功率逆变系统
关键参数值：
BV≥ 100V
Ptot ≤ 500W
ID ≤ 300A
RDS(ON) ≤ 1.4mΩ（VGS=10 V）
RDS(ON) ≤ 2mΩ（VGS=6 V）
极限值参数：
注：
* 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
** 表面安装在最小面积区域
*** 受焊线限制
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
a：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
b：由设计保证，无需进行生产测试
产品订购信息
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