【产品】采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T，漏极耗散功率最大为500W

时间： 2022-06-25 来源：萨瑞微电子

技术问答

萨瑞微电子推出一款采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T，采用先进的沟槽单元设计，适用于电动工具设备、BMS设备和大功率逆变系统等。该器件的漏源电压最小值为100V，直流漏极电流最大值为300A（T_C=25℃，V_GS=10V），漏极耗散功率最大值为500W；等效电路图和管脚配置图如下。

产品引脚配置和示意图

特点：

表面贴装器件

先进的沟槽单元设计

应用：

电动工具设备

BMS设备

大功率逆变系统

关键参数值：

BV≥ 100V
P_tot ≤ 500W
I_D ≤ 300A
R_DS(ON) ≤ 1.4mΩ（V_GS=10 V）
R_DS(ON) ≤ 2mΩ（V_GS=6 V）

极限值参数：

注：

* 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

** 表面安装在最小面积区域

*** 受焊线限制

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

注：

a：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

b：由设计保证，无需进行生产测试

产品订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小背篓翻译自萨瑞微电子，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP01N10T，采用先进沟槽技术，用于大功率逆变系统等设备

铨力半导体推出采用先进的沟槽技术的N沟道增强型MOSFET AP01N10T，采用TOLL-8L封装。特性：100V，300A；适用于大功率逆变系统、BMS设备、电动工具设备。

产品发布时间 : 2023-01-11

【产品】采用先进的沟槽单元设计的N沟道增强型MOSFET SRN150N10D，适用于大功率逆变系统

萨瑞微电子推出一款采用TO263-2L封装的N沟道增强型MOSFET SRN150N10D，采用先进的沟槽单元设计。在TC=25℃条件下，该器件的漏源电压最小值为100V，漏极电流（DC）最大值为120A（VGS=10V）。

产品发布时间 : 2022-07-28

【产品】采用Super Trench技术的N沟道增强型MOSFET SRN0308D，适用于BMS设备

萨瑞微电子推出一款采用TO263封装的N沟道增强型MOSFET SRN0308D，采用先进的沟槽单元设计。在TC=25℃条件下，该器件的漏源电压最小值为80V，漏极电流（DC）最大值为150A（VGS=10V），漏极耗散功率最大值为156W。

产品发布时间 : 2022-08-09

功率半导体IDM供应商萨瑞微电子，提供电源管理IC、MOSFET、LDO、电路保护器等产品

2022年4月20日，功率半导体IDM供应商萨瑞微电子（SALLTECH）签约世强，授权世强代理旗下全线产品。萨瑞微电子现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器等产品。

公司动态发布时间 : 2022-06-06