【产品】采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T，漏极耗散功率最大为500W

SG45NE8T5 N沟道增强型MOSFET

本资料介绍了SG45NE8T5型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽式设计，具有低热阻特性。适用于电机驱动、电动工具、电池管理系统（BMS）和直流-直流转换器等领域。

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SG27N10T5 N沟道增强型MOSFET

本资料介绍了SG27N10T5型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的SGT MOS技术，具有极低的导通电阻RDS(on)，适用于电机控制、电池管理和直流-直流转换器等领域。资料还提供了绝对最大额定值、热特性、静态参数、动态参数和体二极管参数等详细信息。

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APG014N10T N沟道增强型MOSFET

该资料详细介绍了APG014N10T型号的N沟道增强型MOSFET的特性、参数和应用。资料涵盖了产品的电气特性、静态和动态特性、开关特性、二极管特性、封装尺寸以及测试电路图等内容。

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SRN0603Q N沟道增强型MOSFET

本资料介绍了SRN0603Q型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽式设计，具有低热阻、低栅极电荷和快速开关速度等特点。适用于电机/负载控制、PWM应用、DC-DC转换器和离线电源等领域。

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SG34N11T6 N沟道增强型MOSFET

本资料介绍了SG34N11T6型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的SGT MOS技术，具有极低的导通电阻RDS(on)，适用于电机控制、电池管理和直流-直流转换器等领域。此外，该产品符合无卤素和无铅标准。

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APG013N10D7 N沟道增强型MOSFET

该资料详细介绍了APG013N10D7型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。资料涵盖了最大额定值、静态和动态特性、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

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APG006N04D7 N沟道增强型MOSFET数据手册

该资料详细介绍了APG006N04D7型号的N沟道增强型MOSFET的特性、参数和应用。内容包括了电学特性、静态特性、动态特性、开关特性、源极漏极二极管特性、典型工作曲线、封装尺寸以及修订历史。

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AP500N06D7 N沟道增强型MOSFET数据手册

本资料介绍了AP500N06D7型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件具有高电流承载能力，适用于高压大功率应用。

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APG009N10T N沟道增强型MOSFET

本资料介绍了APG009N10T型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有高电压（100V）、大电流（450A）和高导通电阻（RDS(on) < 1.25mΩ @ VGS = 10V），适用于功率工具、电池管理系统和BMS设备等。

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AP100N06D N沟道增强型MOSFET

该资料详细介绍了AP100N06D型号的N沟道增强型MOSFET的特性。内容包括其电气特性、静态和动态参数、开关特性、源极漏极二极管特性、典型工作曲线以及封装尺寸等。

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SR34K N沟道增强型MOSFET

本资料介绍了SR34K型号的N通道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低阈值电压、快速开关速度等特点，适用于便携式设备的负载开关和小信号开关。

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APG023N10D7 N沟道增强型MOSFET

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