【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD，导通电阻低至9mΩ
AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装，为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。其漏源击穿电压为30V，静态漏源导通电阻典型值9mΩ（@VGS=10V,ID=10A），漏极电流可达12A（@VGS=10V,TA=25℃）。
电路及封装图
特性
●驱动简单
●低导通电阻
●快速开关性能
●符合RoHS标准且无卤素
绝对最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
热参数
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