【产品】采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET DO3400DA，漏源电压为30V
杜因特推出的DO3400DA是一款采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性。在热性能方面，结到壳的热阻最大值为80℃/W，结到环境的热阻最大值为125℃/W。有广泛的应用领域。
产品实物图和等效电路图
特点：
VDS=30V，ID=5A，RDS(ON)<30mΩ@VGS=10V
低栅极电荷
绿色环保器件
采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的漏源导通电阻
良好的散热封装
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）：
热特性：
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