【经验】P9235A-RB无线功率发射机为提高无线充电电源layout质量提供设计方法

2019-04-29 IDT(Renesas收购)
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近两年智能手机市场“群雄逐鹿”,无线充电技术使手机充电摆脱了线路的限制,在安全性、灵活性方面比传统充电器有更好的优势,已经成为不少旗舰乃至中端手机的标配。无线充电技术虽然便捷,但是其硬伤在于缓慢的充电速度和不高的充电效率。IDT(现已被Renesas收购)推出的P9235A-RB是一款5W,21V定向磁感应无线充电IC,片上集成了功率控制器,ARM Crotex-M0处理器,具备高度可编程性,同时超低的待机功耗,充电效率高,是高性能无线充电设备的首选。本文将介绍P9235A-RB无线充电电源layout的一些关键点。

图1.无线充电应用


P9235A-RB推荐的布局如图2所示。去耦电容和boost电容,靠近管脚放置(节点1,6,15),这样有助于提高电源抑制比;降压电感和输出电容之间的电流环路应尽可能的小(节点9-12),这样有助于降低EMI;H桥的FET栅极驱动电阻(14),电流解调和电压解调(节点5,13)应靠近IC放置,同时避免换层走线。电路工作时H桥的FETs容易产生较多的热量,因此连接FETS的GND到GND时需使用大通孔来散热,通常选用10mil的通孔。

图2. P9235A-RB推荐的布局


P9235A-RB的GND噪声区域和敏感电路放置的位置如图3所示。一些热噪声敏感的电路应在“安静”的地方连接到地。多添加一些交流耦合电容、热敏旁路电容,来减少噪声。在电路谐振点处一般都会产生谐波较高的噪声,因此在谐振点附近推荐使用去耦电容来滤波。交流电连接点处的走线尽量不要换层,同时使用低ESR谐振电容来减低LC和AC(AC1)电流路径的损耗,从而降低噪声干扰。

图3. P9235A-RB敏感电路和GND噪声区域


Last but not least。布线时关键信号的走线应尽可能的短;遵循高电压、大电流信号与小电流、低电压的弱信号完全分的原则。电源线最好≥10mil,尽量走在PCB的同一侧;P9235A-RB中心的裸露热焊盘推荐使用4x5mil的过孔阵列连接到其他层,这样更有助于散热。

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  • 行行摄摄 Lv7. 资深专家 2019-04-29
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型号- BD52W04G-C,SH8KXX SERIES,R6009RND3,BD900N1W,QH8KXX SERIES,R6077VNZ,LTR100L,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,BM2SCQ122T-LBZ,BD900N1G-C,RFL60TS6D,LTRL SERIES,RBR2VWM60A,BD9XXN1 SERIES,BD933N1,RFS SERIES,RBR1VWM40A,BD933N1WG-C,BM2SC12XFP2-LBZ,BD52W01G-C,LTR18,MCR10L,CSL1901,RB068VWM-60,BP3622,BP3621,BD14210G-LA,SCT4013DW7,BM2P06XMF-LBZ,R6035VNX3,RB068VWM150,MCR18L,R60XXRNX SERIES,RFS30TS6D,BD950N1WEFJ-C,CSL1901DW,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BM2P060LF-Z,BM2SC124FP2-LBZ,BV1LE080EFJ-C,QH8MX5 SERIES,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,SCT4018KW7,RB168VWM-40,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RGWXX65C SERIES,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,RGW00TS65CHR,RFL SERIES,SH8MX5 SERIES,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,SCT4018KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,R6055VNX,RB168VWM-60,BD48W00G-C,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,RGW80TS65CHR,SCT4026DR,R6035VNX,MCRL,CSL1901MW,QH8KC6,LTR10L,QH8KC5,RB168VWM150,R60A4VNZ4,BD7XXL05G-C SERIES,BM2P061MF-Z,BD52W06G-C,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,SCT4062KR,BD900N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,LTR100,BD7XXL05G-C,R60XXVNX SERIES,BD950N1,BD48HW0G-C,RB068VWM100,RBR2VWM40A,BD1421X-LA SERIES,RFL,BD9XXN1,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,R6077VNZ4,RGWXX65C,BM1390GLV-Z,RBR1VWM60A,BD14215FVJ-LA,BM6437X SERIES,QH8KXX,BD52W05G-C,R6055VNX3,LTR SERIES,BM2P06XMF-LBZ SERIES,SCT4036KR,RFL30TS6D,BM2LEXXXFJ-C,BD900N1WEFJ-C,RFS60TS6D,BD733L05G-C,LTR50,BD933N1WEFJ-C,SCT4062KE,RB168VWM-30,SCT4036KW7,BM2SC12XFP2-LBZ SERIES,BM64374S-VA,BD950N1W,BD725L05G-C,BM2LE040FJ-C,R6004RND3,BD933N1W,BD730L05G-C,BD750L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,BM2SC122FP2-LBZ,BD900N1,BD933N1G-C,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,SH8KC6,LTR,BM64375S-VA,SH8KC7,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,QH8MB5,SCT4062KW7,MCRL SERIES,R60XXVNX,BV1LEXXXEFJ-C SERIES,RB168VWM100,R60XXRNX,RBLQ2VWM10,BD950N1G-C,LTRL,SCT4026DW7,RGW60TS65CHR,BV1LE040EFJ-C,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RFS60TZ6S,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,CSL1901 SERIES,SH8KB7,RB068VWM-40,SH8KB6,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RFL30TZ6S,BM2LEXXXFJ-C SERIES,QH8MC5,CSL1901YW,BD1421X-LA,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,R6013VND3

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配备KEYSIGHT网络分析仪,可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗,电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q,仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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无线充电发射线圈定制

可定制TX线圈的尺寸/形状/特性参数,Q的最小值为90,最大值为120,符合WPC和Qi标准。电感的最小值、典型值、最大值依次为21.6μH、24.0μH、26.4μH,偏差为10%.DCR(最大值)为75mΩ。

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