【应用】国产双通道高速低侧栅极驱动器COS4424SR用于充电控制器,峰值拉/灌电流高达4A

2023-04-21 科山芯创
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某客户在设计一款充电控制器,需要一款高速低侧栅极驱动器驱动MOSFET,拉、灌电流要求达4A,双路同向输入的性能对标TC4424;为此科山芯创推出双通道4A的高速低侧栅极驱动器COS4424SR,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT,可满足此类产品的应用需求。


以下为科山芯创COS4424SR的部分原理框图:

科山芯创的COS4424SR芯片应用于充电控制器中具有以下优势特点:

1、驱动能力强,高达4A峰值拉、灌电流,可以高效安全地驱动MOSFET。

2、高达25V宽范围VDD供电,满足宽压输入设计需求。

3、-40℃~125℃的工作温度范围,满足更高温的应用场景。

4、采用行业标准SOP8引脚输出,可兼容TC4424SR,便于节省研发测试时间。


科山芯创还推出了1.5A的COS4426/COS4427/COS4428系列、6A的COS4420/COS4429、9A的COS4421/COS4422系列,来满足用户的不同需求。


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