【产品】满足AEC-Q101车规标准的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0F3,可提升系统效率
派恩杰半导体推出的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0F3,具有高工作频率,低导通电阻和超低Qgd,满足AEC-Q101车规标准,满足RoHS和无卤要求。
SiC MOS P3M171K0F3 TO-220F-3封装
产品特性:
满足车规AEC-Q101标准
低导通电阻,高阻断电压
高工作频率
超低Qgd
100% UIS测试
产品优势:
提升系统效率
提高功率密度
降低散热器设计要求
降低系统成本
产品应用:
太阳能逆变器
电动汽车电池充电器
高压DC/DC转换器
开关电源
最大额定参数:(TJ=25℃条件下,除非有特殊说明)
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产品型号
|
品类
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Blocking Voltage(V)
|
Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
选型表 - 派恩杰 立即选型
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