【产品】车规级N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KW7HR，导通电阻低且开关速度快
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，其推出的SCT4036KW7HR是一款车规级N沟道SiC功率MOSFET。该器件采用无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值 (Tc=25°C)方面，其漏源电压为1200V，脉冲漏极电流（VGS=VGS_on）为84A（PW≤10μs，占空比≤1%），等效结温为175°C，存储温度范围为-40°C~+175°C。
该器件具有低静态漏源导通电阻，在Tvj=25°C条件下，其RDS(on)（脉冲）典型值仅为36mΩ（VGS=18V, ID=21A）。该器件采用TO-263-7L封装（尺寸如图4所示），可用于汽车、开关电源领域。其产品外形如图1所示，内部电路如图2所示。
图1 产品外形
图2 内部电路
图3包装规格
特点：
•符合AEC-Q101
•导通电阻低
•开关速度快
•反向恢复快
•易于并联
•驱动简单
•无铅电镀，符合RoHS标准
应用：
•汽车
•开关电源
绝对最大额定值 (Tc=25℃)
注释：
*1 受限于最大Tvj 和Max. RthJC
*2 PW≤10μs，占空比≤1%
*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%
*4 用作保护功能时，PW≤10μs
*5 可接受的VGS波形示例
*6 请注意不要使用VGS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控
图4 封装尺寸（单位：mm）
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