【应用】N沟道MOSFET TTB105N08A用于工业开关电源,耐压达85V,通流达105A
工业开关电源一般为100W~500W多为24V/12V/48V输入,输出多为12V、5V、3.3V等,一般电路图如1所示分为初级降压电路和输出整流电路。如图1所示,在此电路中,原边的降压电路和输出整流都会用到MOSFET,以24V输入,12V/10A输出电源为例,原边和副边的MOSFET耐压值必须达到60V以上,为了提高电源效率,MOSFET的导通电阻尽量小。
图1:工业开关电源电路图
无锡紫光微的N沟道MOSFET TTB105N08A的漏源电压最大额定值为85V;在VGS=10V,Tc = 25℃条件下的连续漏极电流最大额定值为105A,这一特性可以满足输入或输电压不大于48V的大部分开关电源应用; TTB105N08A采用沟槽型工艺,具有极低漏源导通电阻,VGS=10V条件下的漏源导通电阻最大值8.5mΩ,采用TO-263封装,具有低栅极电荷特性,这一特性可以极大的降低MOSFET的损耗,应用在12V~48V的DC/DC开关电源中,能有效降低开关电源损耗,从而提高电源效率。
图2:TTB105N08A封装图
TTB105N08A的单脉冲雪崩能量最大额定值为331mJ,器件在Tc = 25℃条件下的功耗最大额定值为195W,可以工作在极大的安全工作区域内。器件的结温和存储温度范围均为-55~+175℃,可以在严苛的温度环境下工作。整体看来TTB105N08A具有极高的可靠性,应用在工业开关电源项目上,也提高了开关电源的可靠性。
通过以上分析,TTB105N08A的电气参数和可靠性完全满足几百瓦的工业开关电源应用。另外,TTB105N08A属于国产通用物料,具有较高的供货交期和性价比。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
|
37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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