【应用】N沟道MOSFET TTB105N08A用于工业开关电源，耐压达85V，通流达105A
工业开关电源一般为100W~500W多为24V/12V/48V输入，输出多为12V、5V、3.3V等，一般电路图如1所示分为初级降压电路和输出整流电路。如图1所示，在此电路中，原边的降压电路和输出整流都会用到MOSFET，以24V输入，12V/10A输出电源为例，原边和副边的MOSFET耐压值必须达到60V以上，为了提高电源效率，MOSFET的导通电阻尽量小。
图1：工业开关电源电路图
无锡紫光微的N沟道MOSFET TTB105N08A的漏源电压最大额定值为85V；在VGS=10V，Tc = 25℃条件下的连续漏极电流最大额定值为105A，这一特性可以满足输入或输电压不大于48V的大部分开关电源应用； TTB105N08A采用沟槽型工艺，具有极低漏源导通电阻，VGS=10V条件下的漏源导通电阻最大值8.5mΩ，采用TO-263封装，具有低栅极电荷特性，这一特性可以极大的降低MOSFET的损耗，应用在12V~48V的DC/DC开关电源中，能有效降低开关电源损耗，从而提高电源效率。
图2：TTB105N08A封装图
TTB105N08A的单脉冲雪崩能量最大额定值为331mJ，器件在Tc = 25℃条件下的功耗最大额定值为195W，可以工作在极大的安全工作区域内。器件的结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作。整体看来TTB105N08A具有极高的可靠性，应用在工业开关电源项目上，也提高了开关电源的可靠性。
通过以上分析，TTB105N08A的电气参数和可靠性完全满足几百瓦的工业开关电源应用。另外，TTB105N08A属于国产通用物料，具有较高的供货交期和性价比。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由WJL提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】650V/30A的N沟道MOSFET TPB65R135MFD运用于手谐振式半桥电源，可提高系统工作效率
谐振式半桥电源适用于相对较大容量的电源应用，是150W至1000kW应用的理想选择。谐振式半桥电源因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率。本文推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TPB65R135MFD用于此处应用，漏-源电压最大额定值为650V，满足400V直流母线电压需求，体二极管反向恢复时间为209nS，反向恢复时间短，零电压开关。
应用方案 发布时间 : 2019-12-24
【应用】60V的N沟道MOSFET TSG12N06AT用于智能插座同步整流输出电路，实现低导通损耗
智能插座输出侧使用同步整流MOS，与传统的二极管整流电路相比，使用MOS做输出整流可以实现更大的输出电流，以及低损耗，达到给手机等快速充电或提供多个负载供电的目的。本文推荐使用无锡紫光微的N沟道MOSFET TSG12N06AT，Vds电压60V，具有低的导通电阻实现低导通损耗，DFN5*6封装，封装体积小。
应用方案 发布时间 : 2020-03-29
【应用】700V/3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M运用于反激式转换器，可提高电源工作效率
通常反激式转换器包括很少部件，适用于笔记本电脑和手机电源。由于交换节点的电压峰值较高，因此MOS的耐压要高。由于MOS与感性负载连接，异常情况下，EAS能力要求高。另外为了能效要求，MOS管损耗要低。无锡紫光微电子的封装为TO-252、漏-源电压最大额定值为700V，连续漏极电流最大额定值为3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M，运用于反激电源可满足要求。
应用方案 发布时间 : 2019-12-26
【选型】国产N沟道MOS管TMA10N65HG可PIN-PIN替换安森美FDPF10N60NZ用于全桥电源
目前市面上应用于全桥电源的MOSFET有安森美650V/10A的N MOS管FDPF10N60NZ，不过由于价格压力、贸易战等因素影响，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA10N65HG，该产品可pin-pin替代FDPF10N60NZ。
器件选型 发布时间 : 2020-04-17
Application Brochure for INDUSTRIAL
型号- BD52W04G-C,BD900N1W,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,CSL1901 系列,BD900N1G-C,BD2311NVX-C,RBR2VWM60A,BD933N1,BD1421XG-LA 系列,RBR1VWM40A,BM2SC12XFP2-LBZ,CSL1901,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,SCT4013DW7,R6035VNX3,RB068VWM150,R60XXYNX 系列,BD1421X-LA 系列,CSL1901DW,QH8KXX 系列,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BM2P060LF-Z,BV1LE080EFJ-C,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,REFPDT007-EVK-001,BD1421XG-LA,SCT4018KW7,RB168VWM-40,RFS 系列,BD9XXN1 系列,SCT4018KE,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,RB168VWM-60,BD48W00G-C,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,SCT4026DR,R6035VNX,BM2P061MF-Z,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,BD900N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,BD7XXL05G-C,BD950N1,RB068VWM100,RFL,R60XXYNX,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,BD14215FVJ-LA,BM2SC12XFP2-LBZ 系列,PSR,RB168VWM-30,SCT4036KW7,R6004RND3,BM2LE040FJ-C,RF05VAM2S,BD750L05G-C,BM2SC122FP2-LBZ,BD900N1,BD933N1G-C,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,SH8KXX 系列,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,QH8MB5,REFLD002,R60XXRNX,SH8MX5 系列,RBLQ2VWM10,PSR500,SCT3017AL,BD1421XFVJ-LA,SCT4026DW7,BV1LE040EFJ-C,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,BD9S402MUF-C,QH8MC5,CSL1901YW,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,RFL 系列,R6013VND3,BM2P06XMF-Z 系列,R6009RND3,R6077VNZ,BM6437X 系列,BM2SCQ122T-LBZ,RFL60TS6D,S WAVE B-01,PSR400,RFS30TS6P,BD933N1WG-C,BD52W01G-C,RB068VWM-60,R WAVE B-01,BD9F500QUZ,RLD90QZWX 系列,REFPDT007-EVK-001B,REFPDT007-EVK-001A,R60XXVNX 系列,REFPDT007-EVK-001C,LTR10,BD950N1WEFJ-C,SCT3030AL,BM2SC124FP2-LBZ,QH8MX5 系列,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,BD2311NVX-LB,RGW00TS65CHR,BM2LEXXXFJ-C 系列,RFK 系列,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,R60XXRNX 系列,R6055VNX,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RGW80TS65CHR,REFPDT007,QH8KC6,CSL1901MW,QH8KC5,RB168VWM150,R60A4VNZ4,BD52W06G-C,SCT4062KR,BD1421XFVJ-LA 系列,BD48HW0G-C,BM2P06XMF-Z,RBR2VWM40A,BD9XXN1,R6077VNZ4,RGWXX65C,BM1390GLV-Z,RBR1VWM60A,REFLD002-1,QH8KXX,REFLD002-2,R6055VNX3,BD52W05G-C,SCT4036KR,RFL30TS6D,BM2LEXXXFJ-C,BD900N1WEFJ-C,RLD90QZWX,BD7XXL05G-C 系列,RFS60TS6D,BD733L05G-C,BD933N1WEFJ-C,BD9G500EFJ-LA,SCT4062KE,GNE1040TB,LTR10 系列,BM64374S-VA,BD950N1W,BD725L05G-C,BD933N1W,BD730L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,PSR350,BD8758XYX-C,SH8KC6,BV1LEXXXEFJ-C 系列,BM64375S-VA,SH8KC7,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,SCT4062KW7,R60XXVNX,PSR100,RB168VWM100,BD950N1G-C,RGW60TS65CHR,RGWXX65C 系列,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RLD90QZWJ,RFS60TZ6S,RLD90QZWD,RLD90QZWC,SH8KB7,RLD90QZWB,RB068VWM-40,SH8KB6,RLD90QZWA,RLD90QZW8,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RFL30TZ6S,RLD90QZW5,PSR系列,BD1421X-LA,PSR330,RLD90QZW3
100V/15A的N沟道MOSFET SL9968，开关损耗低、开关速度快，适用于工业自动化开关
SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（80mΩ@10V,4A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
产品 发布时间 : 2024-05-29
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ
无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-09-28
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快
无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-08-01
【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力
无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。
产品 发布时间 : 2023-02-28
【产品】80V N沟道MOSFET TTB115N08A和TTP115N08A，连续漏极电流达115A
TTB115N08A/TTP115N08A是无锡紫光微电子设计的N沟道MOSFET，符合RoHS标准，对人类健康和生态环境友好。其具有快速反向恢复时间、低RDS（ON）、等特点，多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。
新产品 发布时间 : 2019-11-05
【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H，100%雪崩测试
无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。
新产品 发布时间 : 2019-10-25
【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃
无锡紫光微（UNIGROUP）推出650V N沟道MOSFET，100%通过雪崩测试，可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。
产品 发布时间 : 2023-01-31
【产品】30V N沟道MOSFET TTD100N03GT/TTP100N03GT，漏源电阻最大仅5.3mΩ
TTD100N03GT,TTP100N03GT是无锡紫光微电子推出的30V、N沟道MOSFET.其中TTD100N03GT采用TO-252封装，TTP100N03GT采用TO-220封装。其采用沟槽型功率MOSFET技术，并针对快速切换应用进行了优化。
新产品 发布时间 : 2019-11-29
【产品】切换速度快的N沟道MOSFET TMA10N60HF，耗散功率最大值为65W
TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。
产品 发布时间 : 2022-12-09
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论