【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，操作栅极电压低至2.5V

时间： 2021-12-20 来源：AiT

技术问答

AIT推出的AM2305是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至2.5V。该设备适用于负载开关或PWM应用。AM2305的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±8V、连续漏极电流-4.1A、脉冲漏极电流-15A、最大耗散功率1.7W、工作结温与存储温度范围均为-55℃~150℃。

AM2305采用SOT-23封装，引脚分布如下图：

产品特征：

VDS = -20V , ID = -4.1A
RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V

高功率和电流处理能力

表面贴装封装

采用SOT-23封装

产品应用：

PWM应用

负载开关

电源管理

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