【应用】600V/40mΩ的国产MOSFET TPW60R040MFD应用于20KW充电桩,实现低损耗高效设计

2020-01-03 无锡紫光微
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充电桩模块20KW常用的拓扑如图1所示,其中MOSFET主要是应用于维也纳拓扑(绿色部分)和LLC拓扑上(蓝色部分)。基于低损耗高效应用,多采用41mΩ左右的MOSFET,电压规格600V~ 650V。 无锡紫光微TPW60R040MFD,为600V/40mΩ的MOSFET,采用的多层外延技术,光刻工艺对准技术更高,产品性能更优。TPW60R040MFD应用在20KW充电桩维也纳和LLC部分,可实现低损耗高效。

图1:充电桩三相维也纳整流拓扑


TPW60R040MFD主要特点:

1:导通电阻最大40mΩ,应用时正向的导通损耗低,器件损耗低,相应的整机效率就更高。

2:内部采用超快的体二极管设计,VSD低至1.0V,Trr恢复时间是225ns。反向压差低,恢复时间短,应用损耗低。

3:非常低的RDS(on)×Qg(40mΩ*169nC)。RDS(on)×Qg是MOSFET技术的体现,值越小,相当于MOSFET的技术工艺越高,更易于实现高效设计。

2:封装信息

 


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  • terrydl Lv9. 科学家 2020-01-04
    学习了
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型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

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

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品类:Mosfet

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现货:500,000

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.7000

现货:500,000

品牌:MCC

品类:MOSFET

价格:¥0.1627

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.2134

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品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

价格:¥0.2034

现货:251,269

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.9902

现货:222,500

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.0884

现货:196,984

品牌:MCC

品类:MOSFET管

价格:¥0.3248

现货:168,278

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.9533

现货:155,504

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.7526

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

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授权代理品牌:接插件及结构件

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