【选型】固态硬盘存储Flash电源推荐同步降压转换器TMI3411,开关频率1MHz,效率高达95%
固态硬盘由Nand Flash和控制芯片组成,具有传统机械硬盘不具备的快速读写、质量轻、能耗低以及体积小等特点。其中Nand Flash供电具有低压、大电流的特点,因此需要高效率、大电流的DCDC降压转换器。
针对固态硬盘中NandFlash芯片的电源设计,推荐国产拓尔微电子的同步降压DCDC转换器TMI3411,输入电压2.5-6V,输出电流2A,输出电压低至0.6V,轻载状态下具有较低的输出纹波,内部集成低导通电阻的MOSFET,同时内部集成过压保护、短路保护、浪涌电流限制、软启动、过温保护等功能,以下是TMI3411典型电气参数。
固态硬盘通过SATA接口供电,板级电源是5V,存储Nand Flash需要1.2/1.8/3.3V等多种电压供电,TMI3411可以将5V直流转换成Nand Flash所需的电压,工作效率高达95%,关断电流只有0.1uA,可以降低设备功耗;TMI3411内部分别集成高压侧和低压侧MOSFET,无需外置肖特基二极管,开关频率高达1MHz,可以减小外围电路电感尺寸,节省设备PCB面积;该器件还提供了多种保护功能,包括短路保护、热故障保护、输入过压保护、浪涌电流限制、软启动等功能,ESD等级高达HBM 2KV,提高器件长期工作可靠性,以下是TMI3411典型应用电路。
图1 TMI3411应用电路
TMI3411在实际应用中,只需要5个元件即可正常工作,降低BOM成本。
综上所述,西安拓尔的同步降压开关稳压器TMI3411具有1MHz开关频率、高达95%的工作效率、集成多种保护功能、小尺寸等性能方面的优势,同时电路简单、成本低,是固态硬盘等设备中存储芯片电源设计的高性价比解决方案。
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产品型号
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品类
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VIN Range(V)
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IOUT(A)
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Switching Frequency(Hz)
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VFB(V)
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Iq(μA)
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HSFET Rds (on) (Ω)
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LSFET Rds(on) (Ω)
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Control Mode
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Functions
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Package
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Status
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TMI3331
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高压Buck转换器
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8V~30V
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3A
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130kHz~500kHz Adj
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0.8V
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1000μA
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0.08Ω
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0.06Ω
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CM
|
FPWM External COMP./Adj SS
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ESOP8
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MP
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选型表 - 拓尔微电子 立即选型
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