【应用】国产GaN MOSFET INN650D150A助力家用手持射频美容仪推挽电路设计,实现5M射频输出
美好的事物总是令人向往的,爱美之心,人皆有之,喜欢好看,不仅仅是人类的专属,更是生物的本能。随着人们生活水平的提高,人们不在满足于三餐温饱,对美的追求体现在生活的方方面面。
射频从21世纪初就开始应用于面部年轻化领域,于2000年11月,获美国FDA批准单级射频可用于去皱纹的治疗,从此射频就开始在美容行业的应用。美容院中热门的热玛吉就是基于射频技术的,但是去一趟美容院不止费钱还费时间、费精力,所以家用射频美容仪诞生了。
某个客户要设计一款家用手持射频美容仪,想通过改变推挽电路的设计来提高工作功率,预期最高能达到15W,正常工作时为5W左右。推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路,推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推挽电路的经典拓扑结构如图一所示。
图一:推挽电路经典拓扑结构
传统的射频美容仪大多使用Si MOSFET来设计推挽电路,这样设计的话成本固然会有所降低,但是这样设计的产品最高只能达到2M左右的射频输出。本文介绍的新方案是利用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET替代传统的Si MOSFET搭建推挽电路,实现超高效率的功率输出,实现5M以上的射频输出。图二为新型射频美容仪的设计框图。
图二:新型射频美容仪框图
由于美容仪的工作频率一般在6M以下,没有合适的滤波器模块,一般用的是自己搭建的RL滤波电路。美容仪裸露在外面的是电极的负极,面积比较大,为了防止电极空载,搭建了一个电极负极电阻检测的电路,检测电路是否导通。美容仪的负极上的电压比较大,超过100v,由于趋肤效应,在射频交流电路中,恒定的电流是均匀分布的,所以在皮肤上的电流并不是很大,主要是通过射频产生的热量将胶原蛋白变性,然后通过人体代谢将这些变性的胶原蛋白排出皮肤表面,起到紧致皮肤和修复伤疤等功能,对大分子脂肪不起作用。
INN650D150A GaN MOSFET相较于传统Si MOSFET的优势:
(1)由于没有PN结,不存在体二极管,所以不会有反向恢复的问题。
(2)DS之间的导通是通过中间的电子层,所以可以双向导通,即常开。
(3)当需要关断时,G极加负压,实际当中不需要。
(4)导通电阻非常小,最低可达115mΩ。
(5)耐高压,最高瞬态耐压值可达750V。
(6)拥有负压保护电路,可有效避免负压过高损坏电路。
(7)RoHS,无铅,符合REACH标准。
(8)超高开关频率。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由陈乔提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
世强平台可提供全方面的器件,助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计
基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选,其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图,世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料,协助高效高密的PD快充设计。
【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计
INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC,相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术,当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。
【应用】氮化镓增强型功率晶体管选用INN650D150A用在快速瞬变负责测试仪,拥有负压保护电路能避免负压过高损坏电路
某客户的快速瞬变负责测试仪上需要一款氮化镓MOS管,配合前级的PWM驱动芯片,用来测试负载的di/dt。氮化镓MOS要求耐压要到500V,要求快速开启和快速关断,可以做到10ns级和极小的Qg电容。根据客户实际使用场景及需求,笔者给客户推荐了英诺赛科的氮化镓增强型功率晶体管INN650D150A。
拆解报告:公牛65W 1A1C氮化镓充电器
充电头网通过拆解了解到,公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案,搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口,并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充,增强散热性能。
【视频】2023年1月12日碳化硅&氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
英诺赛科(Innoscience)高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
目录- HV GaN FET LV GaN FET & Wafer
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
英诺赛科氮化镓芯片进入安克、倍思、联想、摩托罗拉、OPPO等一线供应链,出货超1.7亿颗
英诺赛科高频高效的氮化镓芯片可以帮助客户设计更高功率密度的电源解决方案,其产品已被三星,OPPO,VIVO,华硕,努比亚,绿联,多家知名品牌和厂商所采用,今年年初与VGaN系列产品,以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机,实现手机全链路氮化镓快充。
【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位?
随着第三代半导体的兴起,GaN已经在各行各业开始普及,但GaN的驱动电压范围偏窄,尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A,讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位?
【应用】国产GaN MOSFET搭配驱动+同步整流芯片实现大功率密度65W PD快充,效率可达90%以上
某客户要设计一款高效、大功率密度的65W PD快充,本文重点介绍使用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET作为主开关管,搭配必易微的驱动芯片+同步整流芯片:KP2206SSGA+KP4060LGA,效率可达90%以上。
【视频】650V国产GaN器件,为不同功率需求的PD快充设计提供对应的设计方案
描述- 本文介绍了英诺赛科(Innoscience)的650V GaN FET产品,包括其特性、驱动设计、PCB布局注意事项以及产品选型。该GaN FET具有超低开关频率、零反向恢复损耗、更小的导通和开关损耗,适用于高频应用。文章还提供了驱动电路设计、PCB布局建议以及不同功率等级的产品选型指南。
型号- INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA150A,INN650DA260A
【应用】英诺赛科推出300W GaN适配器方案,体积减小30%
英诺赛科作为全球最大的8英寸硅基氮化镓企业,在生产成本和产品迭代上拥有较大优势。不久前,英诺赛科推出了300W氮化镓适配器方案,为更大功率、更高效率和更小体积的电源设计提供全面参考。
PCNA2107:高压装置的备用阴极保护测试位置
描述- Innoscience (INNO) 宣布,V-test (Wuxi) Semiconductor Technology Co. ltd 已被认定为高压设备(HV)的备选CP测试站点。此变更旨在增加CP测试能力,以更好地支持相关产品的长期需求。现有和未来的INNO HV产品可在任何合格设施进行测试,对应用、功能、质量和可靠性无影响,数据表无变更。受影响的包括所有当前生产和未来的HV产品。
型号- INN650D02,INN650DA04,INN650N04,INN650N05,INN650D260A,INN650D150A,INN650N260A,INN650DA260A,INN650DA150A
PCNA2104:DFN 8x8模块产品的备用引线框架供应商
描述- Innoscience (INNO) 宣布CWE (Changhua) 作为DFN 8x8模块产品的备选引线框架供应商已通过资格认证。此变更不影响产品的外形、尺寸和功能,产品数据表和封装规格保持不变。变更旨在评估受影响产品的质量和可靠性性能。变更涉及的材料清单(BOM)更新,原供应商DCI (Dynacraft Industries) 更换为CWE(Changhua)。受影响的产品包括INN650D02、INN650D01等。实施日期预计为2021年8月30日。
型号- INN650D01,INN650D02,INN650D260A,INN650D150A
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论