【选型】耐压达600V的双驱动芯片EG2184适用于MOSFET及IGBT的驱动设计

时间： 2023-03-28 来源：屹晶微电子

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目前许多的工业产品都会涉及到逆变或者半桥，全桥的拓扑架构，这些拓扑里面涉及到的功率器件通常都是MOSFET或者IGBT，此时都需要用到相关的驱动芯片。对于此种需求，屹晶微电子推出的双驱动芯片 EG2184可以用于上述提到的功率器件驱动，EG2184可以输出2.3A的峰值电流驱动能力；同时该芯片属于高低变边驱动，高边的耐压可达600V，提高芯片可靠性。

图1 EG2184的典型运用电路图

通过该典型运用图可以明显看到EG2184适合于母线电压相对几百伏设计，相比带隔离的双驱动芯片，采用EG2184的双驱动方案，设计成本要低很多。

该芯片的驱动灌电流是2.3A，拉电流是1.9A，这样在驱动IGBT或者MOSFET时不需要额外的去外加推挽电路将电流进行放大，该芯片可以提供足够的驱动能力。

相比其它驱动芯片设计方案，EG2184在输入端提供了SD的控制功能，可以对输出驱动信号进行相应控制，提供了设计的可靠性。

对于驱动MOSFET的设计者往往会关注开关频率，EG2184可以支持500KHz的开关频率，所以能满足大多数的驱动设计要求。

该芯片VCC端的电源设计，EG2184是支持10V-20V的供电范围，可以方便设计者灵活去选择供电电源。

从典型运用设计来看，用EG2184驱动MOSFET或者IGBT的外围设计十分简单，非常适合去做设计选择。

综上所述，EG2184是一款性价比超高的双驱动芯片，非常适合MOSFET或者IGBT的驱动设计。

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