【技术】如何减少PCB板内的串扰

2023-05-17 韬略科技EMC公众号
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随着科技发展和人们消费需求,现今电子设备小型化的趋势越来越突出,印制电路板(PCB)越做越小。这导致PCB板内信号走线之间容易产生无意间耦合,这种耦合现象被称为串扰(如图1)。韬略科技将在本文中介绍如何减少PCB板内的串扰。


以下列举一些减少串扰的PCB布线规则。


规则1:关键信号远离I/O信号

需要重点关注I/O连接口附近的关键布线,因为噪声很容易通过这些I/O口以辐射或者传导的形式离开或进入电路板。如I/O口直连的信号线与关键信号线靠太近,会产生耦合效应(见图2)。


噪声会通过I/O连接线进入,并通过PCB内部I/O连接线耦合到关键信号上(时钟或敏感信号),模型如图3a。同样的,关键信号(时钟或高速信号)会将噪声耦合到PCB内部的I/O信号走线,并通过I/O连接线往外辐射,模型如图3b示:


规则2:高速信号走线尽量短 

在高速PCB(>100MHz)上,高频信号波长较短,辐射效率高,以至高速信号本身走线形成天线效应,特别是当走线放在顶层或底层时。这种不必要的辐射可以耦合到相邻的走线甚至是附近接口连接线。韬略科技建议将高速信号走线画在PCB中间层,如图4b所示。这有助于控制来高速信号产生的电磁场,避免出现串扰或电磁干扰形式的非预期耦合。如果高速走线走在表层,则应使走线尽量短,当走线小于电小尺寸(1/10波长)时,天线效应会大大减少。如图4所示:


规则3:差分网络匹配

理论上,差分对传输的信号大小相等,极性相反,因此差分对产生的EMI会相互抵消或者忽略。但是,只有在差分对走线长度相等并且尽可能对称地靠近彼此时才有效。图5展示了几种不同情况的差分对走线。


为了对比差分信号走线好坏的辐射情况,作如下电路仿真,图6a和图6b分别是两组对称和非对称走线,走线左端输入高频差分信号,右端端接负载。


韬略科技对以上两种情况做近场分析,噪声仿真如图7:


在1m距离情况下,对比测试辐射发射情况。30MHz-1GHz的频段下,对称走线比非对称走线噪声值小8-10db,如图8所示。


总的来说,在电子设备的设计中,电路前期设计的重要性不容忽视。良好的EMC设计可以确保设备的正常运行,避免电磁干扰对其他设备的影响,并提高产品自身的可靠性。


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型号- TEPC0R2V05B1X,0.2KP-SMF,TLDCM7035-2-501TF,TMMPL111004,TF2010A4X SERIES,5KP-SMC,TESC3R0V05B1X,TF0806A2X430MT,TLCML2012-2-121,TEVD12R0V24B1X,TSSBXXXB1X,TEVC1R0V05B1X,TESD500R0V05B1X,3128,TEVA0R4V05D4X,TLDCM1513-2-301TF,TESB3R0V24B1X,1108,TSSCXXXB1X,TF2010A4X,5KP-SMC SERIES,TSMAXXXB1X SERIES,TF2010A4X900MT,0.4KP-SMA SERIES,TEVD300R0V05D1X,TLCML2012-2-900,6.6KP SERIES,TF2010A4X121MT,10KP SERIES,TEPC0R2V12B1X,TEVC3R0V05B1X,5KP,TEVC25R0V05B1X,TSSDXXXB1X SERIES,TSSBXXXB1X SERIES,TEVG15R0V24B2X,TF2010A4X201MT,TEVC10R0V3B1X,TF0806A2X670MT,TEPB0R2V05B1X,TESC0R15V05B1,6.6KP,TEF0806A2X900MT,TF0806A2X900MT,TF1210A2X900MT,TF2010A4X670MT,TEF1210A2X900MT,TEPB0R2V12B1X,TEPC0R2V09B1X,2501,TEF2012A4X101MT,TEVB20R0V12B1X,TF0806A2X,TEVD0R6V05B1X,TLCML2012-2-201,8KP,15KP SERIES,15KP,TEVH0R6V05D2X,TEVJ0R4V05D4X,TMMPI040402,TMMPL131205,TESC3R0V24B1X,0.2KP-SMF SERIES,TF1210A2X650MT,TSSDXXXB1X,TEF1210A2X500MT,0.4KP-SMA,TSMAXXXB1X,0.6KP-SMB SERIES,TEVG0R6V05D2X,5228,TF0806A2X SERIES,1.5KP-SMC SERIES,TLDCM4745-2-102TF,TEVB10R0V3B1X,1.5KP-SMC,TEVB25R0V05B1X,5KP SERIES,8KP SERIES,10KP,TESD400R0V14B1X,TEVD22R0V15B1X,TEPC0R05V24B1X,TMMPI050502,TEVD0R7V05D4X,TEPB0R2V09B1X,TEVB0R5V05B1X,TGMPL020201,TLCML2012-2-371,TEVP0R4V05D2X,TF2010A4X161MT,0.6KP-SMB,TEVB3R0V05B1X,TLCML4532-2-601,TEVD0R6V3B1X,TSSCXXXB1X SERIES,TEVD1R5V05B1X,TGMPI020101,TLDCM1211-2-701TF,TLCML4532-2-282,TEVC15R0V12D1X,TEF1210A2X350MT,TF1210A2X350MT,TESB3R0V05B1X,TMMPI070603

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产品型号
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Package
Directional
Channel
VRAM Max (V)
Vbr@IT=1mA Min (V)
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Applications
TEVA15R0V05B1X
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DFN0603-2L
Bi
1
5
5.6
6
15
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