【产品】国产N沟道功率MOSFET RU9N65P，低漏源导通电阻有效降低损耗

时间： 2022-03-03 来源：锐骏半导体

技术问答

RU9N65P是锐骏半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，这款器件通过100%雪崩测试，无铅且绿色环保，符合RoHS标准，还具有低反向传输电容及超低栅极电荷等特点。RU9N65P的漏源电压V_DSS为650V，二极管连续正向电流I_S为9A，静态漏源导通电阻R_DS(ON)典型值为750mΩ（V_GS=10V），低导通电阻有效地降低了损耗，产品广泛应用于开关电源（SMPS）中的AC/DC功率转换、适配器和PWM电机控制等领域。

RU9N65P的反向传输电容C_rss低至17pF（典型值，V_GS=0V，V_DS=300V，频率为1.0MHz的条件下），总栅极电荷Q_g更是低至35nC（典型值，V_DS=520V，V_GS=10V，I_DS=9A的条件下）。另外，它在T_C为25°C测试条件下，它的连续漏极电流I_D最大值为9A（V_GS=10V），最大功耗P_D仅为43W，结到壳的热阻R_θJC最大为2.9℃/W，结到环境的热阻R_θJA最大为62.5℃/W，存储温度范围在-55°C~+150°C之间。

RU9N65P产品封装图和等效电路图如下：

RU9N65P产品特性：

• 漏源电压为650V

• 二极管连续正向电流为9A

• 静态漏源导通电阻典型值为750mΩ（V_GS=10V条件下）

• 低反向传输电容

• 超低栅极电荷

• 通过100%雪崩测试

• 无铅且绿色环保

• 符合RoHS标准

RU9N65P产品应用：

• 开关电源（SMPS）中的AC/DC功率转换

• 适配器

• PWM电机控制

RU9N65P产品绝对最大额定值：

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