【产品】漏源电压650V的N沟道超结功率MOSFET AM2065H
AIT公司的N沟道超结功率MOSFET AM2065H,该系列器件采用先进的超级结技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON),漏源极电压650V,栅源极电压±30V。
该系列器件采用先进的超级结技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。这款超级结MOSFET符合行业对PFC,AC / DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
订购信息:
特征:
①高压设备新技术
②低导通电阻和低导通损耗
③小包装
④超低的栅极电荷可满足较低的驱动需求
⑤经过100%雪崩测试
⑥提供TO-220和TO-220F封装
应用领域:
①功率因数校正
②开关电源
③不间断电源
典型应用:
原理图(图1)
引脚说明:
图2
绝对最大额定参数(TC = 25°C):
热特性:
电气特性(TA = 25°C,除非另有说明):
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