【产品】5A/600V/850mΩ的N沟道MOSFET SLP/F60R850S2
SLP60R850S2、SLF60R850S2这两款N沟道MOSFET采用了美浦森（Maplesemi）先进的超级结MOSFET技术，该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这两款N沟道MOSFET非常适合用于高效开关模式电源中。
SLP60R850S2、SLF60R850S2功率MOSFET的特点：
· 连续漏极电流（TC=25℃）：5A
漏极-源极电压：600V
导通电阻：850mΩ @ VGS=10V，ID=2.5A
· 低栅极电荷
· 高鲁棒性
· 开关速度快
· 100%雪崩测试
· 提高的dv/dt能力
极限值（TC=25℃，除非另有说明）：
热特性：
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