【产品】60V/120A N沟道功率MOSFET RU6099R，可用于开关应用系统及逆变系统
RU6099R是锐骏半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，具有超低导通电阻，出色的dv/dt能力，开关速度快，通过100%雪崩测试。其漏源电压为60V，连续漏极电流为120A（TC=25℃），漏源导通电阻为6mΩ（典型值，@VGS=10V，IDS=40A），二极管的连续正向电流为120A（TC=25℃），结到壳的热阻值为1℃/W，最高结温为175℃，采用TO-220封装，可用于开关应用系统、逆变系统等应用。
产品特征
漏源电压60V，连续漏极电流120A（TC=25℃）
漏源导通电阻：典型值6mΩ@VGS=10V
超低导通电阻
出色的dv/dt能力
快速开关和高雪崩等级
100%雪崩测试
175℃工作温度
无铅且绿色环保
产品应用
开关应用系统
逆变系统
绝对最大额定值
电气参数（TA=25℃，除非另有说明）
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