【产品】60V/120A N沟道功率MOSFET RU6099R,可用于开关应用系统及逆变系统
RU6099R是锐骏半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,具有超低导通电阻,出色的dv/dt能力,开关速度快,通过100%雪崩测试。其漏源电压为60V,连续漏极电流为120A(TC=25℃),漏源导通电阻为6mΩ(典型值,@VGS=10V,IDS=40A),二极管的连续正向电流为120A(TC=25℃),结到壳的热阻值为1℃/W,最高结温为175℃,采用TO-220封装,可用于开关应用系统、逆变系统等应用。
产品特征
漏源电压60V,连续漏极电流120A(TC=25℃)
漏源导通电阻:典型值6mΩ@VGS=10V
超低导通电阻
出色的dv/dt能力
快速开关和高雪崩等级
100%雪崩测试
175℃工作温度
无铅且绿色环保
产品应用
开关应用系统
逆变系统
绝对最大额定值
电气参数(TA=25℃,除非另有说明)
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