【产品】60V/120A N沟道功率MOSFET RU6099R，可用于开关应用系统及逆变系统

时间： 2022-05-01 来源：锐骏半导体

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RU6099R是锐骏半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，具有超低导通电阻，出色的dv/dt能力，开关速度快，通过100%雪崩测试。其漏源电压为60V，连续漏极电流为120A（T_C=25℃），漏源导通电阻为6mΩ（典型值，@V_GS=10V，I_DS=40A），二极管的连续正向电流为120A（T_C=25℃），结到壳的热阻值为1℃/W，最高结温为175℃，采用TO-220封装，可用于开关应用系统、逆变系统等应用。

产品特征

漏源电压60V，连续漏极电流120A（T_C=25℃）
漏源导通电阻：典型值6mΩ@V_GS=10V
超低导通电阻
出色的dv/dt能力
快速开关和高雪崩等级
100%雪崩测试
175℃工作温度
无铅且绿色环保

产品应用

开关应用系统
逆变系统

绝对最大额定值

电气参数（T_A=25℃，除非另有说明）

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3