【产品】瞻芯电子发布基于6英寸晶圆的1200V/80mΩ工规级SiC MOSFET，填补国内空白

时间： 2020-10-22 来源：瞻芯电子

技术问答

2020年10月16日，“2020年瞻芯电子产品发布会”顺利举办，正式发布基于6英寸晶圆通过JEDEC（暨工规级）认证的1200V/80mΩ碳化硅（SiC）MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET，该产品的发布填补了国内空白，产品性能达到国际先进水平。

瞻芯电子自2017年7月17日成立伊始便启动6英寸SiC MOSFET产品和工艺的研发工作，于2018年5月全部打通了SiC MOSFET的关键工艺并制造出第一片国产6英寸SiC MOSFET晶圆。经过三年的深度研发，成为中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。2020年9月11日，瞻芯电子具有完全自主知识产权的碳化硅1200V/80mohm MOSFET产品通过JEDEC工规级认证，成为国内主流的工业级碳化硅MOSFET功率器件厂商。

据公司创始人张永熙博士介绍，在新能源汽车电驱动中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整车效率提高5%-10%。在光伏逆变器中使用SiC 功率器件，整机的能耗降低50%。据电力电子行业专家周满枝介绍，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其开通损耗降低至三分之一，关断损耗降至二十分之一，这使得使用SiC功率器件的产品可以达到更高的功率密度，使用更简单的散热设计，整体效率更高。SiC MOSFET应用于新能源汽车、光伏逆变，风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合，其市场前景广泛，预计到2027年市场销售额将达到100亿美元，SiC功率器件是面向未来更环保，更节能的电能转换核心器件，在整个系统中处于关键部位。

瞻芯电子提供以SiC功率器件、SiC/Si MOSFET驱动芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。适用于风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。SiC MOSFET产品系列如下：

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努力学些 Lv6. 高级专家 2022-05-12

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aljfc Lv7. 资深专家 2020-10-29

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Microwave Lv7 2020-10-29

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小帅2008 Lv6. 高级专家 2020-10-29

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落地生根 Lv7. 资深专家 2020-10-29

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自主知识产权 Lv7. 资深专家 2020-10-29

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V2.1 PDF 中文下载

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

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型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

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目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

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