【产品】三轴隧道磁电阻(TMR)线性传感器芯片TMR2305，高灵敏度25mV/V/Oe

时间： 2021-09-05 来源：多维科技

TMR2305是多维科技推出的一款三轴隧道磁电阻(TMR)线性传感器芯片。该传感器芯片具有高灵敏度、低的本底噪声、低功耗、优越的温度稳定性以及宽工作电压范围等优点。该传感器芯片在±5Oe范围拟合情况下X、Y和Z轴的灵敏度典型值均为25mV/V/Oe，磁滞的典型值均为1Oe，在1Hz条件下三轴的本底噪声典型值为2nT/√Hz，在输出开路情况下工作电流典型值为0.3mA。该传感器芯片可以在-40 ~ 125 °C的宽温度范围内正常使用。

三轴TMR2305采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2305M采用Module（9.5mmx9.5mm x 6mm）封装形式。该传感器芯片主要应用于三维空间测量、微弱磁场检测、电流传感器以及位置传感器等领域。

产品特性：
■隧道磁电阻(TMR)技术
■高灵敏度(25mV/V/Oe)
■低的本底噪声(<2nT/rt(Hz) @1Hz)
■三维线性感应
■极宽动态范围
■低功耗
■优越的温度稳定性
■宽工作电压范围
■无需置位/复位脉冲电路

典型应用：

■三维空间测量

■微弱磁场检测

■电流传感器

■位置传感器

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