【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR11NS70AFG,漏源电压最大额定值高达700V

2023-03-29 福斯特半导体
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FIR11NS70AFG福斯特半导体推出的一款采用Silan的DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性,为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。此外,该系列器件还支持通用应用特性,例如,可用于硬交换拓扑和软交换拓扑应用,器件封装及产品图示如下:


器件特征

  • 11A,700V,RDS(on)(典型值)=0.37Ω@VGS=10V

  • 器件采用创新的革命性高压技术

  • 器件具有超低栅极电荷特性

  • 具有增强型雪崩能力特性

  • 具有超乎寻常的dv/dt额定值特性

  • 器件具有高峰值电流能力特性


绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明)

热阻值

漏-源二极管额定值和电气参数

Note:

1.L=79mH,IAS=3.5A,VDD=100V,RG=25Ω,TJ=25℃起始;

2.VDS=0~400V,ISD≤11A,TJ=25℃;

3.VDS=0~480V;

4.脉冲测试条件:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%

5.几乎与工作温度无关;

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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