【应用】Nor Flash TH25D-20LA应用于词典笔存储,容量2Mbit,睡眠功耗0.1uA

2021-07-15 世强
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在英语的学习过程中,词典笔是必不可少的一个好助手,其核心是采用ARM平台方案,利用光学方式扫描英文,内部识别成所需的中文,为提高翻译速度,必须用到外挂存储芯片来运行程序,要求存储芯片具有读写速度快、封装小、功耗低的特性。

      

词典笔利用外部存储芯片运行程序,一般通过小容量Nor Flash来实现。推荐国产紫光青藤TH25D-20LA系列,存储容量2M bit,最高时钟频率达到85MHz,睡眠功耗0.1uA,以下是TH25D-20LA电气性能参数:

词典笔的程序比较简单,无需复杂的算法和协议,紫光青藤的TH25D-20LA容量达到2M bits,可以满足翻译应用的程序执行需求;其工作电压是1.65-2.0V,睡眠功耗0.1uA,相比常规的2.3-3.6V的工作电压,更加适用于电池容量较小的便携式设备应用,可以降低功耗,延长使用时间。快速读取最大频率达85MHz,页面擦除、段擦除、块擦除时间均为10ms,优于常规Nor Flash的50ms/100ms水平,可以实现程序的快速存储和擦写;TH25D-20LA可以实现最少100,000个程序/擦除周期,通常数据保留20年,提高产品长期可靠性。词典笔体积比较小,TH25D-20LA最小尺寸是2*3mm,节省电路PCB面积,以下是TH25D-20LA典型封装和引脚定义。

图1 TH25D-20LA典型封装和引脚定义

      

综上所述,紫光青藤的Nor Flash TH25Q-20LA具有2Mbit存储容量、0.1uA的超低睡眠功耗、尺寸小的优势,是词典笔等电池供电消费品存储应用的优秀解决方案。


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