【应用】Nor Flash TH25D-20LA应用于词典笔存储，容量2Mbit，睡眠功耗0.1uA
在英语的学习过程中，词典笔是必不可少的一个好助手，其核心是采用ARM平台方案，利用光学方式扫描英文，内部识别成所需的中文，为提高翻译速度，必须用到外挂存储芯片来运行程序，要求存储芯片具有读写速度快、封装小、功耗低的特性。
词典笔利用外部存储芯片运行程序，一般通过小容量Nor Flash来实现。推荐国产紫光青藤的TH25D-20LA系列，存储容量2M bit，最高时钟频率达到85MHz，睡眠功耗0.1uA，以下是TH25D-20LA电气性能参数：
词典笔的程序比较简单，无需复杂的算法和协议，紫光青藤的TH25D-20LA容量达到2M bits，可以满足翻译应用的程序执行需求；其工作电压是1.65-2.0V，睡眠功耗0.1uA，相比常规的2.3-3.6V的工作电压，更加适用于电池容量较小的便携式设备应用，可以降低功耗，延长使用时间。快速读取最大频率达85MHz，页面擦除、段擦除、块擦除时间均为10ms，优于常规Nor Flash的50ms/100ms水平，可以实现程序的快速存储和擦写；TH25D-20LA可以实现最少100,000个程序/擦除周期，通常数据保留20年，提高产品长期可靠性。词典笔体积比较小，TH25D-20LA最小尺寸是2*3mm，节省电路PCB面积，以下是TH25D-20LA典型封装和引脚定义。
图1 TH25D-20LA典型封装和引脚定义
综上所述，紫光青藤的Nor Flash TH25Q-20LA具有2Mbit存储容量、0.1uA的超低睡眠功耗、尺寸小的优势，是词典笔等电池供电消费品存储应用的优秀解决方案。
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