【产品】耐压达650V的IGBT，单相光伏逆变器最佳选择

时间： 2018-04-07 来源：世强

技术问答

光伏逆变器作为光伏系统的关键组成部分，串联在整个发电系统中，起到发电并网的作用，其对发电系统的稳定性至关重要。为了适应光伏系统发展模式的变化，本文针对单相光伏逆变器，介绍一款瑞萨公司推出的第八代IGBT单管RBN50H65T1FPQ-A0，并和竞争对手同规格的单管进行比较和测试，在保证光伏系统性能稳定的同时，可使系统获得更优越的性能。

单相光伏逆变器电路图如下图1所示，光伏电池板发出的电能通过DC-DC（BOOST升压）电路，然后逆变为交流电并网，图1中DC-DC转换部分需要至少一颗IGBT，逆变部分需要4颗IGBT。

图1 单相光伏逆变器电路图

本文针对图1中的IGBT单管，重点介绍瑞萨公司推出的第八代IGBT单管RBN50H65T1FPQ-A0，其封装和管脚定义如图2所示。

图2 RBN50H65T1FPQ-A0封装和管脚定义图

RBN50H65T1FPQ-A0是一款耐压达650V的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），可承受最大损耗功率为234W，工作温度范围为-55°C到+150°C，该晶体管尺寸大小为15.94mm x 5.02mm x 21.13mm，为TO-247标准封装。

其主要特性如下：

• 最大集电极发射极电压：650V

• 最大门极发射极电压：±30V

• 最大持续集电极电流：100A

• 最大功耗：234W

• 工作温度范围-55℃~+150℃

• 封装方式：TO-247

RBN50H65T1FPQ-A0主要性能和其他同类器件和测试结果对比如图3和图4所示：

图3 RBN50H65T1FPQ-A0和其他同类器件规格对比

由图3可知，和英飞凌的IKW50N65H5及IKW50N65EH5、ST的STGW60H65DFB相比，RBN50H65T1FPQ-A0可承受的栅极电压更高，可以保证在30V栅极电压的可靠性。

图4 RBN50H65T1FPQ-A0和其他同类器件测试对比

由图4可知RBN50H65T1FPQ-A0的导通压降和开通损耗分别低至1.41V和1.27mJ，低的导通电压可以给系统带来低的导通损耗。

为了进一步证明RBN50H65T1FPQ-A0的优越性能，该产品的功耗模拟和关断波形分别如图5和图6所示：

图5 RBN50H65T1FPQ-A0的功耗模拟图

图6 RBN50H65T1FPQ-A0的关断波形对比

由图5可知在门极电阻为16欧姆，直流电压为400V，门极电压为-5V和+15V，开关频率为20KHz，系统输出功率为5kW时，RBN50H65T1FPQ-A0的整体工作损耗为27.7W，明显比ST和英飞凌要低，可带来光伏逆变器发电效率的提升。由图6可知RBN50H65T1FPQ-A0的关断无振铃、而且关断时VCE的电压过冲小，可降低电压尖峰对IGBT的危害，从而保证光伏逆变器的稳定性。

通过以上介绍相信大家对RBN50H65T1FPQ-A0在光伏逆变器上的应用优势已经清晰，如果觉得文章不错请不要忘记收藏或者点赞哦！

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【元件】森国科1200V/40A IGBT以其卓越的低开关损耗和导通损耗，助力高效率方案设计

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技术问答发布时间 : 2017-05-05

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描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

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