【选型】小功率电源用SiC MOSFET推荐ASC60N650MT4,导通电阻低至50mΩ,有效减小系统体积
某客户在开发一款小功率电源,输出功率65W到120W,该电源产品主要应用于微型逆变器系统。在该项目中需求一款耐压值650V,N型,封装TO247-4,导通电阻50mΩ左右的SiC MOSFET,用于提高电源的整体效率、减小体积。本文推荐国产爱仕特SiC MOSFET ASC60N650MT4应用于小功率电源,以下是该对产品参数特性的简要介绍。
图一 ASC60N650MT4外观和内部电路图
图二 ASC60N650MT4封装尺寸图
图三 ASC60N650MT4的导通内阻和温度的特性曲线
爱仕特SiC MOSFET ASC60N650MT4应用于小功率电源的优势有以下几点:
1、采用第三代芯片技术,导通电阻低至50mΩ,功率密度可提高20%,有效减小电源体积;
2、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷,有效提高电源系统效率,降低电磁干扰能力;
3、栅源电压Vgs:-10/+22V,元件25℃时耗散功耗325W,减少系统的发热;
4、世强常备库存,可提供免费样品和开发板测试,性价比相对国外其他品牌更有优势。
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