【选型】小功率电源用SiC MOSFET推荐ASC60N650MT4，导通电阻低至50mΩ，有效减小系统体积

时间： 2023-02-04 来源：世强

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图一 ASC60N650MT4外观和内部电路图

图二 ASC60N650MT4封装尺寸图

图三 ASC60N650MT4的导通内阻和温度的特性曲线

爱仕特SiC MOSFET ASC60N650MT4应用于小功率电源的优势有以下几点：

1、采用第三代芯片技术，导通电阻低至50mΩ，功率密度可提高20%，有效减小电源体积；

2、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷，有效提高电源系统效率，降低电磁干扰能力；

3、栅源电压Vgs：-10/+22V，元件25℃时耗散功耗325W，减少系统的发热；

4、世强常备库存，可提供免费样品和开发板测试，性价比相对国外其他品牌更有优势。

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