【产品】集电极-发射极电压只有0.115V的NPN型晶体管，面向电池驱动和手持设备设计的特殊晶体管

2018-06-29 Central Semiconductor
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Central推出的型号为CP382X-CMPT3820的NPN型晶体管，它最大的优势是提供低VCE和大电流，是面向电池驱动和手持设备而设计的特殊晶体管，因为手持设备和电池驱动均要求大电流和低VCE（SAT），具体来说，CP382X-CMPT3820的VCE（SAT）最低只有0.115V，导通功耗非常低，它的集电极持续电流1A，集电极峰值电流可达2A，非常适合用在电池驱动和手持设备上。


图1为CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管的外形图，它的长宽均为26mils，高5.9mils，可见尺寸非常小，利于节省PCB布板空间。

图1 CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管外形图


表1是Central CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管在TA=25℃时的相关参数最大值，可知它的耐温高达150℃，可以用在温度恶劣的车载环境中，意味着它也可以用在汽车电子产品上；另外，它的集电极持续电流和峰值电流分别达到1A和2A，基极电流300mA，均较大，因此CP382X-CMPT3820可以用在充放电电流要求比较大的设备上，比如手持设备、电池驱动设备。

参数名称

符号

值

单位

集电极-基极电压

VCBO

80

V

集电极-发射极电压

VCEO

60

V

发射极-基极电压

VEBO

5

V

集电极持续电流

IC

1

A

集电极峰值电流

ICM

2

A

基极持续电流

IB

300

mA

运作和存储温度

TJ，Tstg

-65至150

°C

 表1 CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管额定参数表


CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管电气特性（TA=25°C时）见表2，可知它的静态电流（漏电流）只有100nA，非常小，而且VCE（SAT）只有0.115V，可见CP382X-CMPT3820的功耗非常小。

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

ICBO

VCB=60V

100

nA

IEBO

VEB=5V

100

nA

BVCBO

IC=100uA

80

V

BVCEO

IC=10mA

60

V

BVEBO

IE=100uA

5

V

VCE（SAT）

IC= 100mA，IB=1mA

0.115

V

VCE（SAT）

IC= 500mA，IB=50mA

0.15

V

VCE（SAT）

IC= 1A，IB=100mA

0.28

V

VBE（SAT）

IC= 1A，IB=50mA

1.1

V

VBE（ON）

VCE= 5V，IC=1A

0.9

V

COB

VCB= 10V，IE=0，f=1Mhz

10

pF

表2 CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管电气特性表


综上所述，CP382X-CMPT3820 NPN型晶体管具有通流能力大、静态电流小、VCE（SAT）小、功耗小的特点，再结合它尺寸小的优势，非常适合用在布局紧凑、功耗低、充电电流大的设备中，比如电池驱动设备和手持设备。


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低VCE电压NPN晶体管 NPN型晶体管 手持设备 电池驱动设备 CP382X-CMPT3820 Central Semiconductor 管状电机

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16-December 2011  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

PROCESS CP219 Power TransistorNPN - High Current Transistor Chip

描述- 本资料介绍了Centrale Semi公司的CP219功率晶体管，这是一种高电流NPN型晶体管芯片。资料详细说明了该产品的制造工艺细节，包括晶圆加工过程、器件尺寸和金属化层等信息。此外，还提供了典型电学特性数据。

型号- CP219-2N5430,CP219-2N5336,CP219-D44H11,CP219-2N5338,CP219-2N5337,2N5337,2N5338,2N5336,2N5430,CJD44H11,2N5429,2N5339,2N5427,2N5428,CP219,CP219-2N5428,CP219-2N5339,CP219-2N5427,CP219-CJD44H11,D44H11,CP219-2N5429

22-March 2010  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

PN2221 PN2221A PN2222 PN2222A NPN硅晶体管

描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的PN2221、PN2222系列硅NPN型晶体管。这些晶体管适用于小信号通用开关应用，具有详细的电气特性和最大额定值。

型号- PN2221A,PN2222A,PN2222,PN2221

30-January 2012  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本
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品类：Silicon NPN transistor

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品类：Low Vce(Sat) Transistors

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ESD防护解决方案

整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。

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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。

实验室地址： 深圳/上海 提交需求>

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