【技术】IGBTM7最新晶圆封装技术助力半桥和六管架构E3模块

时间： 2018-04-27 来源：世强

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IGBT模块,六管IGBT模块,半桥IGBT模块,A0-VP122PA300M7-L757F70

IGBT模块的主要技术指标在于内部晶圆的性能。VINCOTECH的E3模块采用的是三菱最新的IGBTM7晶圆封装，该模块为Vincotech最新的晶圆封装技术模块之一。E3模块主要有半桥和六管架构，是至今适用于工业市场的最佳的IGBT模块。

Vincotech采用IGBTM7晶圆的E3模块，为兼容性模块，关键技术优势主要体现在三个方面：

1：在同样的温度条件下，Vcesat导通压降更低，晶圆总损耗降低。

同样的半桥模块，在同样的温度条件下，Ic条件100A，VGE为±15V，采用不同的晶圆。主要通过IGBT的M7和行业再用的IGBT4晶圆作为参数对比，结果显示IGBTM7晶圆Vcesat更低，总静态损耗降低20%（图1所示）。

图1：IGBTM7与IGBT4的静态损耗实验对比数据示意图

2：优化开关特性，降低EMI

Vge为±15V控制管子的开关状态，Rg（on）和Rg（off）均是40mΩ，Ic为100A，Vce为600V，Tj为 150℃的条件下。由图2的圆圈部分可以看出，在同样的导通损耗下，IGBTM7晶圆与IGBT4晶圆相比，IGBTM7晶圆在开通过程对电流尖峰抑制效果上更具优势。这也说明IGBTM7技术在一定程度上降低了EMI。

图2：IGBTM7晶圆和IGBT4晶圆的开通的驱动电压、导通电压和电流的关系曲线

3：IGBTM7晶圆缩小尺寸的同时降低了成本

IGBTM7晶圆是第六代晶圆的进一步优化的版本。IGBTM7晶圆在主要是通过每一代晶圆的组成结构上优化性能的同时缩小了晶圆的尺寸。从而实现了降低成本的优势。

图3：不同代的晶圆的截面结构图

Vincotech的E3模块主要型号和参数表格如下：

图4：半桥架构模块

图5：六管架构模块

E3模块典型应用领域：

工业驱动

电驱

UPS

光伏逆变器

电焊

储能

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