【产品】30V/70A N沟道增强型功率MOSFET RU3070L，导通电阻典型值仅3.3mΩ

时间： 2022-04-25 来源：锐骏半导体

技术问答

RU3070L是锐骏半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，封装为TO252，10V栅极驱动电压的时候，导通电阻典型值仅3.3mΩ，4.5V栅极驱动电压的时候，导通电阻典型值仅5mΩ，环保无铅封装，符合RoHs认证，主要应用于负载开关。

产品特点

额定电压/电流：30V/70A

R_DS(ON)=3.3mΩ（典型值），在V_GS=10V时
R_DS(ON)=5mΩ（典型值），在V_GS=4.5V时

超高密度单元设计
超低导通阻抗
100%雪崩测试
环保无铅（Rohs认证）

典型应用

负载开关

订购信息

极限参数

电气参数

T_C=25℃（除非有特殊说明）

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由天府大懒猫翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C，可用于电源管理应用

锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。

产品发布时间 : 2022-04-18

【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R，可用于汽车，SMPS的高效同步等领域

RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，该产品可靠、坚固、无铅环保，可应用于汽车，SMPS的高效同步、高速电源等。

产品发布时间 : 2022-04-08

【产品】群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，支持DFN1006-3L外壳封装，具有快速开关特性

群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

产品发布时间 : 2023-05-19

AM50N06 MOSFET 60V 50A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

型号- AM50N06,AM50N06PJ8R,AM50N06PJ8VR

数据手册 - AIT - REV1.0 - OCT 2024 PDF 英文下载

【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM6594，栅极阈值电压典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ

AiT推出的AM6594是N沟道增强型功率MOSFET，它采用沟槽DMOS技术，可以最大限度地降低导通电阻，可用于无线充电、DC / DC变换器以及负载开关的应用设计中。

新产品发布时间 : 2019-06-25

【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装

RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。

新产品发布时间 : 2019-11-22

JMPC840BJ JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- JMPC840BJ,JMP

数据手册 - 捷捷微电 - Version：1.1 - 2024/5/27 PDF 英文下载

【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用

AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。

新产品发布时间 : 2019-07-27

【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，可用于PWM应用和负载开关

扬杰科技推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术，具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。

新产品发布时间 : 2021-02-01

RM3416 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM3416

数据手册 - 丽正国际 - REV:A - 2019-02/15 PDF 英文下载

【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装

RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。

新产品发布时间 : 2019-11-11

RM3404 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM3404

数据手册 - 丽正国际 - REV:O - 2017-10/15 PDF 英文下载

【产品】30V/5.8A N沟道增强型功率MOSFET RM3400A，采用SOT-23-3L封装

丽正国际推出的RM3400A是一款N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）以及极低栅极的电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作电池保护或其他开关应用。在环境温度为25°C时，RM3400A漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为5.8A。

新产品发布时间 : 2019-11-05