【产品】30V/70A N沟道增强型功率MOSFET RU3070L，导通电阻典型值仅3.3mΩ

时间： 2022-04-25 来源：锐骏半导体

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RU3070L是锐骏半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，封装为TO252，10V栅极驱动电压的时候，导通电阻典型值仅3.3mΩ，4.5V栅极驱动电压的时候，导通电阻典型值仅5mΩ，环保无铅封装，符合RoHs认证，主要应用于负载开关。

产品特点

额定电压/电流：30V/70A

R_DS(ON)=3.3mΩ（典型值），在V_GS=10V时
R_DS(ON)=5mΩ（典型值），在V_GS=4.5V时

超高密度单元设计
超低导通阻抗
100%雪崩测试
环保无铅（Rohs认证）

典型应用

负载开关

订购信息

极限参数

电气参数

T_C=25℃（除非有特殊说明）

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