【应用】GaN增强模式功率晶体管INN650D150A用于65瓦PD快充插头，导通电阻仅150毫欧

时间： 2021-08-24 来源：世强

技术问答

PD快充是目前主流的快充协议之一，是由USB-IF组织制定的一种快速充电规范。而传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。本文讲述的英诺赛科（Innoscience）主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率器件的研发与产业化，其最近推出的GaN产品INN650D150A，导通电阻Rds最大仅有150毫欧，其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求，并且有效提高功率密度及效率。

客户需求一款耐压650V的GaN增强模式功率晶体管，内阻低于200毫欧，温度控制在75℃左右。用于65瓦PD快充插头项目，用来做开关器件，测试温升。本文介绍英诺赛科的INN650D150A，Rds内阻150毫欧满足参数需求。

详细的产品参数如下所示：

INN650D150A优势如下：

① 低阻抗：导通电阻最大仅有150毫欧，这样导通损耗极低，并且降低了热阻，符合客户温升测试条件；

② 小体积：超小封装DFN 8mmx8mm, 大幅减小了PCB占板面积，利于高功率密度小体积的设计；

③ 高功率密度及高效率。

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型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

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