【经验】GaN FET在激光雷达驱动器中的参数设计指导

2020-06-13 世强
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GaN FET在激光雷达(LiDAR)应用,对比于传统的Si MOS具有以下几点优势:

(1)GaN FET对比于Si MOS输入电容CISS要小10倍,使得GaN 开启时间对于Si MOS有很大优势;
(2)GaN FET属于横向器件,可以做到器件芯片级封装如WLCSP封装,可以做到很小的寄生电感,提高器件热性能,稳定性;

(3)GaN FET作为激光雷达应用中开关器件,对比与Si MOS器件封装小,相同电压电流条件下,合适于多线激光雷达产品。


因此如何利用好GaN FET优势去设计好产品便是一个重点问题。下面主要介绍激光雷达驱动器设计,本文中采用EPC公司的开发板EPC9126进行设计。下图是LiDAR驱动器的典型设计简图:

首先我们需要确认驱动器的设计参数规格:

(1)电流脉冲幅值IDLpk ,EPC9126开发板上设计要求电流脉冲峰值35A;

(2)电流脉冲半峰全宽(FWHM)值tW ,EPC9126开发板tW=3.5ns

(3)脉冲重复频率PRF;

(4)激光管正向压降VDLF=9V


基本设计参数确定后,还需要估算出主回路中包含激光管封装的寄生电感,回路中的寄生电感主要包括PCB线路电感和激光管封装电感。PCB按照合理布局一般电感在1~2nH;一个插件封装激光管在最好的情况下电感约为5nH,通常还会更高。表面贴装激光管电感大概1~3nH。下图给出插件封装对于表贴封装激光管的寄生电感差异。

EPC9126开发板功率回路使用表贴激光管预计1.5nH,线路中寄生电感约为0.8nH。总的回路电感预估2.3nH。


接下来就需要确认功率回路谐振电容C1值,按照如下公式(1):

按照上式可以确认EPC9126开发板上谐振电容值C1为1.1nF,为减小电容Esr,采用5组220pf 100V 电容并联。


确认输入电压值VIN,按照如下公式(2):

EPC9126 按照设计参数确认输入电压VIN=60V。


在实际设计中最主要是需要尽可能的减小回路中的寄生电感,电感L直接影响整个激光驱动器成本以及性能。从下图中可以看出:

输入电压VIN值跟随电感L1值增加,回路中较大的寄生电感就要求较大的输入电压,这无疑会带来产品成本的增加,需要增加升压电路。所以对于控制功率回路中的寄生电感L值,需要从PCB Layout、GaN封装以及激光管封装等多个方面去考虑。


EPC公司的LiDAR开发板EPC9126/EPC9126HC采用最优的PCB layout,EPC9126采用GaN FET—EPC2016C,在极短的4ns脉冲宽度,给三接面激光产生35A脉冲。EPC9126HC为大电流演示系统,在 8ns脉冲宽度可产生65A脉冲。


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