【产品】20V 高密度超低电阻N沟道增强型MOS场效应管.8205S/G，连续漏极电流6A

时间： 2022-06-16 来源：富满电子

技术问答

.8205S/G是富满电子推出的一款N沟道增强型MOS场效应管，采用SOT23-6封装，具有低漏源导通电阻、大电流等特性。.8205S/G的漏源电压额定值为20V，连续漏极电流额定值6A（Ta=25℃），静态漏源导通电阻的典型值为28mΩ（V_GS=2.5V,I_DS=3A）、24mΩ（V_GS=4V,I_DS=4A）、21mΩ（V_GS=4.5V，I_DS=4.5A）。产品引脚封装图和等效电路图如下：

特点

有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6

最大额定值和热特性 (Ta=25℃，除非另有说明。)

电特性

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