【产品】20V 高密度超低电阻N沟道增强型MOS场效应管.8205S/G，连续漏极电流6A

时间： 2022-06-16 来源：富满电子

代理服务

技术支持

采购服务

.8205S/G是富满电子推出的一款N沟道增强型MOS场效应管，采用SOT23-6封装，具有低漏源导通电阻、大电流等特性。.8205S/G的漏源电压额定值为20V，连续漏极电流额定值6A（Ta=25℃），静态漏源导通电阻的典型值为28mΩ（V_GS=2.5V,I_DS=3A）、24mΩ（V_GS=4V,I_DS=4A）、21mΩ（V_GS=4.5V，I_DS=4.5A）。产品引脚封装图和等效电路图如下：

特点

有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6

最大额定值和热特性 (Ta=25℃，除非另有说明。)

电特性

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自富满电子，原文标题为:.8205S/G 20V N沟道增强型MOS场效应管，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】采用SOT23-6封装的N沟道增强型MOS场效应管8205LA，漏源电压20V

富满电子推出的漏源电压20V的N沟道增强型MOS场效应管，型号8205LA，采用SOT23-6封装，具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率应用、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。

2023-05-01 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】20V/6A的N沟道增强型MOS场效应管.8205A，具有高密度超低电阻设计，最大功耗1.9W

富满微电子推出的.8205A 20V N沟道增强型MOS场效应管，特点：1、具有专有的先进平面技术；2、高密度超低电阻设计；3、大功率、大电流应用；4、理想的锂电池应用；5、封装形式：SOT23-6、TSSOP-8。

2022-11-17 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】采用专有的先进平面技术的N沟道增强型MOS场效应管8205L，额定漏极电流为6A

富满电子推出的20V N沟道增强型MOS场效应管，型号8205L，采用SOT23-6封装，具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。

2023-03-03 - 产品代理服务技术支持采购服务

8205LA 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的8205LA型号20V N沟道增强型MOS场效应管。该器件采用先进的平面技术，具有高密度超低电阻设计，适用于大功率、大电流应用，尤其适合锂电池应用。资料提供了详细的参数规格、电特性曲线和封装信息。

富满电子 - N沟道增强型MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,N 沟道增强型 MOS 场效应管,8205LA,锂电池应用

2022/6/2 - 数据手册 - Version 1.1 代理服务技术支持采购服务

8205A/X 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

本资料介绍了一种20V N沟道增强型MOS场效应管，具有低电阻、高密度设计，适用于大功率、大电流应用，特别适合锂电池应用。产品采用TSSOP-8封装，具有详细的电特性参数和典型性能特性。

富满电子 - N沟道增强型MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,N 沟道增强型 MOS 场效应管,8205A/X,锂电池应用

2024/6/14 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

.8205A 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的20V N沟道增强型MOS场效应管（型号：.8205A）。该器件采用先进的平面技术，具有高密度超低电阻设计，适用于大功率、大电流应用，尤其适合锂电池应用。资料提供了详细的电气参数、热特性、封装信息和典型电特性。

富满电子 - 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管,8205A,.8205A

2021/06/01 - 数据手册 - Version 1.4 代理服务技术支持采购服务

9926A./P 20V N沟道增强型MOS场效应管

本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的20V N沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻、高栅极阈值电压和良好的热特性，适用于各种电源管理应用。

富满电子 - N沟道增强型MOS场效应管,9926A./P

2021/7/28 - 数据手册 - Version1.0 代理服务技术支持采购服务

20V N沟道增强型MOS场效应管数据手册

本资料介绍了深圳市富满电子集团股份有限公司生产的9926A型号20V N沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力等特点，适用于各种电源管理电路。

富满电子 - N沟道增强型MOS场效应管,9926A

数据手册 - Version1.0 代理服务技术支持采购服务

8205L 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的8205L型号20V N沟道增强型MOS场效应管。该器件采用先进的平面技术，具有高密度超低电阻设计，适用于大功率、大电流应用，尤其适合锂电池应用。资料提供了详细的电特性参数、典型性能曲线和封装信息。

富满电子 - N沟道增强型MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,N 沟道增强型 MOS 场效应管,8205L,锂电池应用

2022/6/2 - 数据手册 - Version 1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

.8205S/G 20V N沟道增强型MOS场效应管

本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的20V N沟道增强型MOSFET产品——.8205S/G。该产品采用先进的平面技术和高密度超低电阻设计，适用于大功率、大电流应用，尤其适合锂电池应用。文档详细列出了产品的最大额定值、热特性、电特性以及封装信息。

富满电子 - N沟道增强型MOS场效应管,.8205S/G

数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】20V N沟道增强型MOS场效应管.8205S/P，采用SOT23-6封装，适合大功率、大电流应用

富满电子推出.8205S/P 20V N沟道增强型MOS场效应管，具有专有的先进平面技术，高密度超低电阻设计，大功率、大电流应用，理想的锂电池应用，封装形式：SOT23-6的特点。

2022-11-16 - 产品代理服务技术支持采购服务

.8205S/P 20V N沟道增强型MOS场效应管

本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的20V N沟道增强型MOSFET场效应管，型号为.8205S/P。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于锂电池等大功率、大电流应用。

富满电子 - N沟道增强型MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,N沟道增强型MOS场效应管,.8205S/P

2021/11/15 - 数据手册 - Version 1.1 代理服务技术支持采购服务

【经验】富满电子多功能控制器XPD712的设计注意事项分享

富满电子XPD712是一款支持USB Type-C和Type-A双端口的多功能控制器。集成了支持PD3.1、PPS、QC3.0+、QC3.0、QC2.0快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2 DCP以及苹果设备2.4A充电规范，支持USB PD认证测试。本文将介绍其设计的注意事项。

2023-03-30 - 设计经验代理服务技术支持采购服务