【产品】20V 高密度超低电阻N沟道增强型MOS场效应管.8205S/G，连续漏极电流6A
.8205S/G是富满电子推出的一款N沟道增强型MOS场效应管，采用SOT23-6封装，具有低漏源导通电阻、大电流等特性。.8205S/G的漏源电压额定值为20V，连续漏极电流额定值6A（Ta=25℃），静态漏源导通电阻的典型值为28mΩ（VGS=2.5V,IDS=3A）、24mΩ（VGS=4V,IDS=4A）、21mΩ（VGS=4.5V，IDS=4.5A）。产品引脚封装图和等效电路图如下：
特点
有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6
最大额定值和热特性 (Ta=25℃，除非另有说明。)
电特性
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