【产品】可配置为桥式整流器的双串联低压硅肖特基二极管，VF的最大值仅为0.4V
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的肖特基二极管——CMXSH2-4LS，由双串联低压的硅肖特基二极管组成，采用SOT-26表面贴装封装。在下面的页面中，该设备使用可选的安装垫配置，其可配置为桥式整流器。其产品实物图如图1所示。
图1：产品实物图
CMXSH2-4LS 低压硅肖特基二极管的峰值重复反向电压VRRM为40V， 反向连续电压VR为20V时，其反向电流IR的最大值为50μA，连续正向电流IF为200mA，具有低反向电流和较高的反向耐压能力。其系列功率损耗PD的最大值为350mW，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流IF为100mA时，正向压降VF的最大值仅为0.4V。其封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图如图2所示。
图2.CMXSH2-4LS 硅肖特基二极管封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图
CMXSH2-4LS 硅肖特基二极管的峰值正向浪涌电流IFSM为1.0A（tp=10ms），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流IFRM为350mA，结壳热阻为357°C/W，结电容的典型值为8.5pF(VR=4.0V, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短，时间trr最大值为5.0ns(IF=IR=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω)。另外，CMXSH2-4LS 硅肖特基二极管耗散功率与温度均具有负的温度系数，其耗散功率对环境温度较为敏感，功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求，可参考频率温度曲线，通过相应的坐标值，方便产品的设计。具体功率降额曲线如图3所示。
图3. CMXSH2-4LS 硅肖特基二极管功率降额曲线
CMXSH2-4LS 硅肖特基二极管的主要特性：
•重复峰值反向电压VRRM为40V
•正向浪涌电流能力IFSM为1.0A（tp=10ms）
•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃
•结壳热阻ΘJA为357°C/W
•功率损耗PD为350mW
•结电容的典型值为8.5pF(VR=4.0V, f=1.0MHz)
•反向恢复时间trr的最大值为5.0ns(IF=IR=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω)
•SOT-26表面贴装封装
•低压降VF的典型值为0.24V（ IF=10mA）
CMXSH2-4LS 硅肖特基二极管的主要应用领域：
•桥式整流器
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电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES
价格：
现货： 0
现货市场
品牌：CALY Technologies
品类：COMMON CATHODE SILICON CARBIDE SICSCHOTTKY DIODE
价格：￥53.3565
现货：30
服务
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