【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D,漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCEP01T11D是NCE推出的一款采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET,无铅产品,采用TO-263-2L封装,可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合,该器件的导通和开关功率损耗都被最小化,是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
VDS=100V,ID=108A
漏源导通电阻RDS(ON)=5.7mΩ(典型值)@VGS=10V
优秀的FOM产品:Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数(TC=25℃,除非特别说明):
电气参数(TC=25℃,除非特别说明)
注:
1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板,t≤10s
3.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
4.由设计保证,不受产品限制
5.EAS条件:Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
封装标识及订购信息
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