【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCEP01T11D是NCE推出的一款采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，无铅产品，采用TO-263-2L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
VDS=100V，ID=108A
漏源导通电阻RDS(ON)=5.7mΩ（典型值）@VGS=10V
优秀的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板，t≤10s
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.由设计保证，不受产品限制
5.EAS条件：Tj=25℃，VDD=50V，VG=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω
封装标识及订购信息
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
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-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
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