【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120K，用于可再生能源等领域

时间： 2023-02-14 来源：中电国基南方

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中电国基南方（CETC）推出的WM2A040120K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，T_c=25℃时，VDS最大值为1200V（V_GS=0V，I_D=100μA），I_D为68A（V_GS=18V，T_c=25℃），RDS(on)的典型值为40mΩ（V_GS=18V，I_D=33.3A）。用于可再生能源、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器等领域。

特点：

高阻断电压，低导通电阻

低电容高速开关

易于并联且驱动简单

优点：

系统效率更高

散热要求降低

功率密度增加

系统开关频率提高

应用：

可再生能源

电动汽车电池充电器

高压DC/DC转换器

开关模式电源

最大额定值（T_c=25℃，除非另有说明）：

电气特性（T_c=25℃，除非另有说明）：

二极管反向特性：

热特性：

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