【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120K，用于可再生能源等领域
中电国基南方（CETC）推出的WM2A040120K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，Tc=25℃时，VDS最大值为1200V（VGS=0V，ID=100μA），ID为68A（VGS=18V，Tc=25℃），RDS(on)的典型值为40mΩ（VGS=18V，ID=33.3A）。用于可再生能源、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器等领域。
特点：
高阻断电压，低导通电阻
低电容高速开关
易于并联且驱动简单
优点：
系统效率更高
散热要求降低
功率密度增加
系统开关频率提高
应用：
可再生能源
电动汽车电池充电器
高压DC/DC转换器
开关模式电源
最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）：
电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）：
二极管反向特性：
热特性：
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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